丁书龙
,
郭建
,
颜晓红
,
宣凯
,
林铁军
材料导报
用化学气相沉积方法(CVD),以纯锌粉为原料,在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌(ZnO)纳米线,并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征;对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较,证实其生长过程遵循气固生长机理.
关键词:
半导体材料
,
气相生长
,
化学气相沉积
林铁军
,
郭建
,
丁书龙
,
宣凯
,
董敬桃
,
李新宇
材料导报
在氩气氛围下,以氧气为反应气,用VS机制热蒸发锌粉,在硅衬底上成功地制备出了球状的ZnO纳米线,整个过程没有任何催发剂参与;用扫描电镜、透射电镜和X射线衍射等分别对其形貌、结构及其成份进行了表征;并就影响球状ZnO纳米线的因素进行了分析.
关键词:
球状ZnO纳米线
,
表征
,
分析
