寿莎
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黄仕华
材料导报
Si/SiO2超晶格是近年发展起来的一种新的Si基纳米结构,有着广阔的应用前景.该材料结构是通过选择合适的镀膜技术(如热反应蒸发、分子束外延),在衬底表面交替形成Si/SiO2纳米薄膜,对该结构热处理后形成Si/SiO2纳米结构.衬底温度、衬底材料、沉积薄膜厚度、应用的退火过程等均会影响超晶格中纳米Si的形成.具体分析了上述因素对形成纳米Si的影响.
关键词:
Si/SiO2超晶格
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纳米Si
,
退火
寿莎
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2007.02.003
蘸水笔技术(Dip-Pen)是近年来发展起来的一种新的扫描探针刻蚀加工技术,有着广泛的应用前景.该技术是直接把弯曲形水层作为媒介来转移"墨汁"分子,在样品表面形成纳米结构.尖端曲率半径、针尖在基底表面滞留时间、针尖扫描速度、空气湿度、表面粗糙度等均会影响纳米结构的线宽.针尖在基底表面滞留时间与圆半径的平方成一次函数关系,线宽随着尖端半径的增大而变宽,扫描速度与线宽成反比关系.通过控制湿度可以控制"墨水"分子的转移速度,从而影响纳米结构的线宽.线宽随着样品表面粗糙度增加而变宽.
关键词:
蘸水笔
,
原子力显微镜
,
纳米结构
,
刻蚀
