李小杜
,
尚林
,
朱亚丹
,
贾志刚
,
梅伏洪
,
翟光美
,
李学敏
,
许并社
人工晶体学报
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石(0001)面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理.利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光光谱仪(PL)和拉曼光谱仪(Raman)分别对外延层的位错密度、表面形貌、发光性能和...
关键词:
GaN
,
三维生长温度
,
位错
,
残余应力
孙成真
,
贾志刚
,
尚林
,
孙佩
,
余春燕
,
张华
,
李天保
人工晶体学报
利用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD),在蓝宝石的(0001)面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的GaN外延薄膜.利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱仪(PL)对GaN薄膜的表面形貌,位错密度,光学性能等进行表征,研究不同的成...
关键词:
GaN
,
金属有机化学气相沉积
,
成核层
,
生长温度
刘子超
,
章海霞
,
甄慧慧
,
李明山
,
尚林
,
许并社
人工晶体学报
利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)及原子力显微镜(AFM)研究了低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响.结果表明,低温AlN插入层不同的生长温度会导致AlGaN/GaN量子阱不同的表面粗糙度及穿透位错密度,并且当生长温度达到640℃时样品中表面粗糙度及穿透位错密度达...
关键词:
AlN插入层
,
生长温度
,
AlGaN/GaN量子阱
,
应变弛豫
廖建华
,
尚林
,
贾伟
,
余春燕
,
李天保
,
许并社
人工晶体学报
采用金属有机化学气相沉积方法系统研究了在蓝宝石衬底上低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响机理.利用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜、光致发光光谱和Hall测试仪表征材料的位错密度、表面形貌以及光、电学性能.研究结果表明随着形核速率的增加,GaN形核层更倾向于三维生长模式;当形核速...
关键词:
形核速率
,
形核层
,
GaN
,
金属有机化学气相沉积
