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冯德伸 , 苏小平 , 闵振东 , 尹士平
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.05.025
采用直拉法成功拉制直径300 mm红外锗单晶, 讨论了热场温度梯度、拉晶工艺参数以及浮渣对拉晶的影响, 测量了单晶电阻率、红外透过率和断裂模量, 结果表明单晶满足红外光学系统的使用要求.
关键词: Φ300 mm红外锗单晶 , 热场 , 工艺参数 , 浮渣 , 性能测试
王思爱 , 苏小平 , 冯德伸 , 尹士平
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.04.022
退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响.退火温度超过550 ℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750 ℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型.同时,退火温度超过550 ℃会导致锗单晶电阻率径向分布均匀性变差,这是Cu杂质与晶体缺陷共同作用的结果.
关键词: 锗单晶 , 退火 , 导电型号 , 电阻率
