蒋稳
,
邹宇
,
伍建春
,
展长勇
,
朱敬军
,
安竹
,
杨斌
,
黄宁康
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.15.020
采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备.就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究.研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别.随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整.当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨.
关键词:
中子探测器
,
电化学刻蚀
,
多孔硅阵列
,
形貌
安红章
,
吴开均
,
肖婷
,
展长勇
,
任丁
材料研究学报
doi:10.11901/1005.3093.2015.461
采用电化学湿法刻蚀制备了P型多孔硅,通过改变HCl溶液浓度来调整刻蚀液中的氢离子浓度.制备出的多孔硅孔径相同,孔深随着氢离子浓度的提高呈线性增大直至恒定.基于电流突发模型阐述了结构参数的变化:孔径的形成开始于刻蚀的初始阶段,空穴主导了初始阶段的腐蚀,空穴的迁移与消耗过程就是孔径扩张和孔壁形成的过程,该过程与硅片本身的性能密切相关,与氢离子浓度无关,故孔径基本恒定;氢离子浓度的提高加快氢的置换反应直至平衡,从而使反应总速率提高直至恒定,因此孔深先线性增大然后保持恒定;Si-H含量在一定范围内与孔深的变化吻合呈现上升趋势,且键合形式以Si-H2为主.
关键词:
无机非金属材料
,
HCl
,
多孔硅
,
微结构
,
Si-H
,
电流突发模型
杜纪富
,
展长勇
,
黄宁康
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.002
用动态离子束混合技术在铁基材料表面上制备氧化钽薄膜.用Ar+束溅射沉积薄膜的同时,分别用100 keV,2×1017/cm2的O+离子或100 keV,8×1016/cm2的Ar+进行辐照.对两种工艺下生成的氧化钽薄膜进行了XPS、AES及RBS分析研究,结果发现,Ar+辐照下制备的氧化物薄膜主要由符合化学剂量比的Ta2O5化合物组成,引入的碳污染少.O+辐照下制备的薄膜生成了低价的氧化钽,引入了大量的碳污染.
关键词:
氧化钽薄膜
,
动态离子束混合
,
XPS
,
AES
