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热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p+/n+发射极研究

宿世超 , 王涛 , 韩宇哲 , 田罡煜 , 黄海宾 , 高超 , 岳之浩 , 袁吉仁 , 周浪

人工晶体学报

为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散.采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在单晶硅片上沉积重掺杂硅基薄膜作为固态扩散源,然后在空气氛围下的管式炉中进行高温扩散,最后用稀HF溶液去除表面的BSG/PSG.通过掺磷薄膜扩散...

关键词: HWCVD , 晶硅太阳电池 , 固态扩散源 , 发射极 , 方阻

热丝CVD法低温制备的多晶硅薄膜质量对衬底依赖性的研究

张磊 , 沈鸿烈 , 黄海宾 , 岳之浩 , 李斌斌

功能材料

以SiH4和H2作为反应气体,采用HWCVD的方法分别在石英玻璃、AZO、Si(100)和Si(111)衬底上制备了多晶硅薄膜。利用X射线衍射(XRD),拉曼(Raman)光谱和傅里叶红外(FT-IR)吸收光谱研究了不同衬底对多晶硅薄膜的择优取向、晶化率和应力的影响,用SEM观察了多晶硅薄膜的表面形...

关键词: 热丝化学气相沉积 , 衬底诱导 , 多晶硅薄膜 , 结晶性

热丝CVD工艺参数对GeSi薄膜键结构影响的研究

黄海宾 , 沈鸿烈 , 吴天如 , 张磊 , 岳之浩

功能材料

对高H2稀释比条件下热丝CVD法制备GeSi薄膜的工艺参数对薄膜的键结构的影响进行了研究.用Raman谱和FT-IR谱对薄膜中非极性键(Ge-Ge、Ge-Si和Si-Si)相对含量的变化和极性键(Ge-H、Ge-H2、Si-H等H键)相对含量的变化进行了分析.研究结果表明,热丝CVD工艺参数对制备的...

关键词: 热丝CVD , 锗硅薄膜 , 键结构 , 热丝温度 , 锗烷硅烷流量比

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