于方丽
,
白宇
,
秦毅
,
岳冬
,
罗才军
,
杨建锋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12203
在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了SiC薄膜.通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线光电子能谱仪(XPs)及扫描电子显微镜(SEM)研究基底温度对SiC薄膜成分、结构及生长速度的影响规律.结果表明:在60～500℃基底温度下制备的SiC薄膜均为非晶态薄膜,薄膜的生长速度随基底温度的升高而线性降低,并且在相同沉积条件下,薄膜在Si基底上的生长速度要高于Cu基底.此外,薄膜中的硅碳原子比随基底温度的升高而降低,当基底温度控制在350℃左右时,可以获得硅碳比为1∶1较理想的SiC薄膜.
关键词:
碳化硅
,
等离子体增强化学气相沉积
,
非晶态薄膜
,
生长速度
,
基底温度
