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超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究

刘旭焱 , 崔明月 , 海涛 , 王爱华 , 蒋华龙

人工晶体学报

采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不等的应变硅线条和应变硅岛,并利用TEM、...

关键词: 全局应变硅 , 纳米图形 , 应变弛豫 , 拉曼光谱