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硅基底上热解法生长CNT薄膜的强流脉冲发射特性

曾凡光 , 李昕 , 左曙 , 夏连胜 , 谌怡 , 刘星光 , 张篁 , 张锐

功能材料

采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征.测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流的峰值约为109.4A;而在双脉冲模式下,当第一脉冲峰值宏观场强为8.6V/μm,第二脉冲峰值宏观场强为5.4V/μm时,第一脉冲和第二脉冲峰值电流分别约为117.2和720.8A.第二电流脉冲的电流峰值出现放大效应,放大倍数约为6.15倍.

关键词: 热解法 , 碳纳米管薄膜 , 强流脉冲发射 , 峰值电流密度

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