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表面还原处理对钽酸锂晶片电学性质的影响

颜涛 , 姚淑华 , 刘宏 , 王继扬 , 左致远 , 夏宗仁

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.05.021

以Y36°钽酸锂(LiTaO3,LT)晶片为研究对象,通过对同成分LT晶片(CLT)和深度还原黑色u'晶片(BLT)的比较研究,探讨了表面还原处理对钽酸锂晶片电学性能的影响.X射线衍射研究显示,还原处理对晶体结构没有明显影响.BLT的电导率比CLT明显高4个数量级,达到7.7×10-12 Ω-1·c...

关键词: 钽酸锂 , 还原 , 电导率 , 压电性能 , 介电性能

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