徐庆安
,
张景文
,
杨晓东
,
巨楷如
,
贺永宁
,
侯洵
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.010
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析.测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差.说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析.
关键词:
ZnO薄膜
,
生长温度
,
激光分子束外延
,
X射线衍射
,
光致发光谱
