江若琏
,
席冬娟
,
赵作明
,
陈鹏
,
沈波
,
张荣
,
郑有炓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.030
采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器.探测器的光谱响应表明,在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边,357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W.响应度与偏压的变化关系表明,4V以前为线性增加,5V后达到饱和.
关键词:
Si基GaN
,
探测器
,
响应度
赵作明
,
江若琏
,
陈鹏
,
席冬娟
,
沈波
,
郑有炓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.032
研究了Si基GaN上的欧姆接触.对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析.Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min取得最好的欧姆接触率7.5×10-3Ω.cm2,而Ti/Al/Pt/Au/GaN接触在650℃氮气气氛退火20s取得最好的欧姆接触8.4×10-5Ω.cm2,而且Ti/Al/Pt/Au/GaN接触有较好的热稳定性.
关键词:
Si基GaN
,
欧姆接触
,
Al
,
Ti/Al/Pt/Au
