张源涛
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崔勇国
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张宝林
,
朱慧超
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李万成
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常遇春
,
杨树人
,
杜国同
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.032
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2).通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学...
关键词:
ZnO薄膜
,
Si衬底
,
PL谱
,
异质结
