施俐君
,
郭莉薇
,
魏庆科
,
宋财根
,
胡晓琳
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庄乃锋
,
林树坤
,
陈建中
人工晶体学报
本文采用导模提拉法成功生长了Tb3Sc2Al3O12 (TSAG)晶体,并对所生长晶体进行了物相分析和单晶结构分析,探讨了多晶原料的烧结温度对晶体颜色的影响.Sc3+和Al3+的浓度分布测试表明,导模提拉法能较好地克服因分凝效应引起的Sc3+浓度分布不均,可以生长获得浓度分布均匀的TSAG晶体.磁光性能测试表明,Sc3+掺入对晶体在400~1100 nm波长范围内的磁光性能影响不大,所生长TSAG晶体的费尔德常数仅比Tb3Al5O12 (TAG)晶体低6% ~8%.
关键词:
Tb3Sc2Al3O12晶体
,
导模提拉法
,
法拉第磁光效应
刘小凤
,
魏庆科
,
喻建兵
,
胡晓琳
,
庄乃锋
,
林树坤
,
陈建中
人工晶体学报
采用提拉法生长了Ba2TiSi2O8 (BST)晶体,并采用SEM和EDS等手段对晶体内部包裹物缺陷进行了分析.发现多晶原料中的Na,K,C1杂质元素的存在是导致晶体内部产生包裹物缺陷的主要诱因,采用低的生长速率和较快的晶体转速有利于获得高质量BTS单晶.另外,本论文还对晶体的硬度和透过光谱进行了测试与分析.
关键词:
Ba2TiSi2O8
,
提拉法
,
晶体缺陷
,
硬度
赵斌
,
陈建中
,
庄乃锋
,
郭飞云
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.022
用助熔剂提拉法生长了YIG(Y3Fe5O12)和YAlIG(Y3AlxFe5-xO12)单晶,尺寸约为φ10×7.0mm.经XRD测试,晶体均为立方晶系,晶格常数分别为:YIG,a=1.2376nm;YAlIG,a=1.2089nm.YAlIG晶体在红外波段透过率较高;经X射线荧光测定,其分子式为Y3Al2.96Fe2.04O12.室温下YAlIG磁化率大大低于YIG,初步推测可能是Al3+同时进入晶体结构中的四面体和八面体空位.
关键词:
助熔剂提拉法
,
Y3Fe5O12
,
Y3AlxFe5-xO12
,
晶体生长
,
表征
兰建明
,
陈建中
,
郭飞云
,
高绍康
,
胡晓琳
,
庄乃锋
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.011
采用提拉法生长出光学质量优良的Yb3+:YVO4晶体,研究生长过程中工艺参数的控制.测得掺杂浓度为18.1%Yb3+:YVO4晶体中Yb3+离子的有效分凝系数Keff为0.96.测定了不同Yb3+离子掺杂浓度晶体的吸收光谱和荧光光谱,并分别计算了不同掺杂浓度下Yb3+:YVO4晶体的光谱参数.本文总结和解释了掺杂浓度影响其性能的规律,讨论了Yb3+:YVO4晶体作为激光晶体的优点.
关键词:
Yb3+:YVO4晶体
,
提拉法
,
掺杂浓度
,
分凝系数
,
光谱
,
荧光寿命
,
激光晶体
王桂美
,
高绍康
,
陈建中
,
庄乃锋
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.017
本文研究了用盐酸酸沉仲钼酸铵溶液制备四钼酸铵的成核过程,测量了以诱导期表示的成核速率,讨论了温度和过饱和比对成核速率的影响.结果表明,四钼酸铵过饱和溶液的成核速率随着温度的升高和过饱和比的增大而增大.确定了在实验的温度范围内均匀成核和非均匀成核之间的界限,并根据均匀成核理论计算了其成核特征参数.
关键词:
仲钼酸铵
,
四钼酸铵
,
过饱和比
,
均匀成核
钟富兰
,
朱进
,
陈建中
,
庄乃锋
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.028
本文报道了Sr2+离子掺杂对GdVO4晶体生长和拉曼性能的影响.SrxGd1-xVO4晶体粉末经X射线粉末衍射分析,其结果仍属四方晶系,具有锆英石结构.实验表明,高掺杂浓度时,Sr2+离子不易取代Gd3+离子进入GdVO4晶体的晶格,易导致SrxGd1-xVO4晶体开裂和产生包裹体.XPS实验证明,SrxGd1-xVO4晶体中钒元素为+5价.同时测试了常温下SrxGd1-xVO4晶体的拉曼光谱,发现随着Sr2+离子浓度增加,在884cm-1处的VO4反对称伸缩振动逐渐增强,表明Sr2+离子的掺入影响了GdVO4晶体的拉曼性能.
关键词:
SrxGd1-xVO4晶体
,
晶体生长
,
拉曼光谱
庄乃锋
,
赵斌
,
胡晓琳
,
陈晶玲
,
高绍康
,
陈建中
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.017
采用提拉法(Czochralski)生长出优质的GdVO4和Yb:GdVO4晶体,其中纯GdVO4晶体具有较高的透过率,可达81%.晶体在室温下的偏振吸收光谱与非偏振荧光光谱表明,Yb:GdVO4晶体是一种具有较大的吸收半峰宽和荧光半峰宽的激光晶体,分别为44~52nm和40~46nm;随着掺杂浓度增大,π偏振吸收系数呈现饱和趋势,且荧光峰的位置出现了红移.此外,还采用Nd:YAG激光器测试了晶体的激光损伤阈值,实验表明,随着Yb3+掺杂浓度从4.1at%增加到22.9at%,激光损伤阈值也相应地从19.9×109W/cm2逐渐减小到2.79×109W/cm2.
关键词:
GdVO4晶体
,
偏振吸收光谱
,
荧光光谱
,
激光损伤阈值
陈建中
,
郭飞云
,
庄乃锋
,
林树坤
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.016
本文对硒酸氢铷(RbHSeO4,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究.通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由能和临界成核半径,为探讨RHSe单晶的水溶液生长的较佳条件提供依据.
关键词:
硒酸氢铷
,
均匀成核
,
诱导期
,
溶液生长法
胡晓琳
,
陈建中
,
庄乃锋
,
兰建明
,
赵斌
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.007
本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率.结果表明,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制,在饱和点为38.00℃的溶液中,RHSe晶体的{111}和{101}晶面的临界过饱和度分别为1.01%和1.16%.实验过程中还发现,当过饱和度大于1.76%时,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷,因而在生长RHSe单晶时,过饱和度应控制在1.76%以下.
关键词:
电光晶体
,
生长动力学
,
硒酸氢铷
,
多二维成核生长
吴舒婷
,
卢淑美
,
汤宏亮
,
邓彬彬
,
庄乃锋
,
黄长沧
人工晶体学报
采用温和的溶液法制备了五个掺杂过渡金属离子的含钕多酸化合物(TM =Mn(1),Co(2),Ni(3),Cu(4),Zn(5)),通过X-射线粉末衍射确定了这些化合物的晶相,并通过电感耦合等离子发射光谱、固体紫外-可见漫反射光谱等表征确定了过渡金属离子的掺杂.探讨了掺杂过渡金属离子对该系列化合物多色性质、光致发光性质、以及磁性质的影响.研究发现,过渡金属离子的掺杂对含钕多酸化合物有明显的着色效果,并且丰富了该系列化合物的多色性.
关键词:
多酸
,
钕
,
过渡金属
,
多色性