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SiC单晶生长研究进展

陈之战 , 施尔畏 , 肖兵 , 庄击勇

材料导报

SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注.本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度、温度梯度、载体气压对单晶生长和质量的影响.对今后的研究方向提出了看法.

关键词: SiC , 单晶生 , 长PVT法

原料对碳化硅单晶生长的影响

陈之战 , 施尔畏 , 肖兵 , 庄击勇

无机材料学报

研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响。实验发现,在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si/C摩尔比的最大值。晶体中的针孔等缺陷的形成与原料中的杂质和气相组分偏离Si/C=1摩尔比有关,并通过电子探针得到证实。

关键词: 碳化硅原料 , SiC single crystals , phase transition , Si/C ratio , pinhole

大尺寸 6H-SiC半导体单晶材料的生长

陈之战 , 肖兵 , 施尔畏 , 庄击勇 , 刘先才

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.007

报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出ф45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω.cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.

关键词: 碳化硅单晶 , 晶体生长 , PVT法 , 微管道

原料对碳化硅单晶生长的影响

陈之战 , 施尔畏 , 肖兵 , 庄击勇

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.04.005

研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响.实验发现,在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si/C摩尔比的最大值.晶体中的针孔等缺陷的形成与原料中的杂质和气相组分偏离Si/C＝1摩尔比有关,并通过电子探针得到证实.

关键词: 碳化硅原料 , 碳化硅单晶 , 相转变 , Si/C摩尔比 , 针孔

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