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Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展

刘少林 , 邹兆一 , 庞春霖 , 付国柱 , 邱法斌

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.017

目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制.新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高﹑原料气体利用效率高﹑衬底温度低﹑生长的薄膜致...

关键词: 硅薄膜 , 薄膜晶体管 , 化学气相淀积法