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中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce薄膜及其光致发光特性

廖国进 , 巴德纯 , 闻立时 , 朱振华 , 刘斯明

稀有金属材料与工程

用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜.XPS监测显示,薄膜中有Ce3+生成.这些薄膜的光致发光峰是在374 nm附近,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜的掺杂浓度,但发光峰位置不随掺杂浓度而变化.Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景.

关键词: 光致发光 , Al2O3 , 薄膜 , 磁控溅射 , 稀土元素

掺杂浓度对Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响

廖国进 , 巴德纯 , 闻立时 , 刘斯明 , 阎绍峰

功能材料

应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为43ml/min,氧流量为10ml/min,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+.Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.

关键词: 三氧化二铝薄膜 , 磁控溅射 , 掺杂浓度 , 光致发光 , Ce

氧化铝薄膜在发光方面的研究进展

廖国进 , 巴德纯 , 闻立时 , 刘斯明 , 阎绍峰

材料导报

对近十几年来Al2O3薄膜在发光方面的研究进展分4个方面进行了介绍:(1)多孔阳极氧化铝薄膜基质的光致发光(PL)及其发光机理研究;(2)退火温度对多孔阳极氧化铝薄膜发光性能的影响;(3)氧化铝薄膜基质中掺杂稀土离子或过渡金属离子后的光致发光研究;(4)Al2O3薄膜的电致发光(EL)研究.此外,还对氧化铝薄膜发光方面的发展前景进行了展望.

关键词: Al2O3 , 薄膜 , 发光 , 研究进展

中频反应磁控溅射制备Al2O3:CeCl3薄膜及其光致发光特性

廖国进 , 骆红 , 闫绍峰 , 巴德纯 , 闻立时

稀有金属材料与工程

应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:CeCl3的非晶薄膜.Ce3+含量和薄膜的化学成分通过X射线散射能谱(EDS)测量.薄膜试样的晶体结构用x射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度.薄膜发光来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+离子.随铈含量增加,光致发光峰向低能方向移动,可能与薄膜中存在氯元素有关.

关键词: 光致发光 , Al2O3 , 薄膜 , 磁控溅射:CeCl3

掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响

廖国进 , 巴德纯 , 闻立时 , 刘斯明 , 阎绍峰

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.007

应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2:O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+.Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.

关键词: 三氧化二铝薄膜 , 中频反应磁控溅射 , 掺杂浓度 , 光致发光 , Ce

氧分压对Al2O3:Ce薄膜的发光性能及表面形貌的影响

廖国进 , 骆红 , 闫绍峰 , 朱振华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.006

应用中频反应磁控溅射设备制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜.在溅射时靶电压随氧气分压比的增加而减小,而当氧分压比增大时靶电压沿另一条路径变化,即呈现迟滞回线现象.通过控制氧分压比改变Al2O3:Ce3+薄膜的发光性质.经光致发光检测,薄膜的光致发光谱是在374nm附近的非对称波峰,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.当氧分压比增加时薄膜的发光强度增加,在氧分压比为15%是发光强度最大,其后随氧分压比增大发光强度有减小趋势.薄膜的厚度随氧分压比的增加而呈减小的趋势.X射线衍射(XRD)检测表明所制备透明薄膜为非晶态.扫描电镜检测(SEM)显示,随着氧分压的增加非晶薄膜表面趋于致密平滑.发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景.

关键词: 光致发光 , Al2O3 , 薄膜 , 磁控溅射 , 稀土元素

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