袁剑峰
,
杨柏梁
,
朱永福
,
李牧菊
,
刘传珍
,
吴渊
,
廖燕平
,
王刚
,
邵喜斌
,
刘宏武
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.005
介绍了a-Si:H TFT开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作.研制了a-Si∶H TFT单管器件,其开关电流比达到6个数量级,为最终研制a-Si∶H TFT AMLCD视频图像显示器奠定了坚实的基础.
关键词:
a-Si
,
HTFT开关器件
,
有源层
,
栅绝缘层
,
界面特性
刘传珍
,
杨柏梁
,
张玉
,
李牧菊
,
吴渊
,
廖燕平
,
王大海
,
邱法斌
,
李轶华
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.002
利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization， MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化， MIC的晶化温度降低到440℃。采用XRD、 Raman、 SEM和XPS等手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。
关键词:
金属诱导晶化
,
多晶硅薄膜
,
退火
朱永福
,
李牧菊
,
杨柏梁
,
刘传珍
,
廖燕平
,
袁剑锋
,
刘雅言
,
申德振
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.04.008
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiNx:H薄膜.分析了气体流量比(R)、衬底温度(Ts)以及射频功率(Prf)的变化对a-SiNx:H薄膜中SiH、 NH和NH2基团的吸收峰强度的影响, 同时研究了退火条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响.
关键词:
等离子体化学气相沉积
,
非晶氮化硅薄膜
,
红外光谱
刘金娥
,
廖燕平
,
齐小薇
,
高文涛
,
荆海
,
付国柱
,
李世伟
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.014
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的.针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子...
关键词:
OLED
,
阈值电压漂移
,
N/Si
,
C-V
,
2-a-Si:HTFT
杨澍
,
荆海
,
廖燕平
,
马仙梅
,
孔祥建
,
黄霞
,
付国柱
,
马凯
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.012
基于电子墨水技术的电子纸是目前最有竞争力的类纸媒显示器.实现电子墨水电子纸的柔性是这项显示技术的关键之一.文章分析了当前电子墨水电子纸的主要研究方向,详细介绍了基于金属柔性基板的TFT制造技术、基于固定塑料基板的以激光释放塑基电子工艺(EPLaR)为代表的TFT制造技术、以激光退火表面释放技术(SU...
关键词:
电子纸
,
电子墨水
,
薄膜晶体管
,
柔性金属基板
,
激光释放塑基电子技术
,
激光退火表面释放技术
,
有机薄膜晶体管
李牧菊
,
杨柏梁
,
朱永福
,
刘传珍
,
袁剑峰
,
吴渊
,
廖燕平
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.007
建立了a-Si TFT AMLCD的等效电路模型, 综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(Resistivity Capacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考.
关键词:
栅电极电阻
,
交叠电容
,
沟道电容
,
信号延迟
,
RC常数
李牧菊
,
杨柏梁
,
朱永福
,
袁剑峰
,
刘传珍
,
廖燕平
,
吴渊
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.007
用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)并进行了退火实验,利用红外吸收光谱(IR)和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象,得出材料组成及热稳定性对衬底温度Ts和射频功率Prf的依赖关系.
关键词:
非晶硅
,
化学气相淀积
,
红外光谱
,
金相显微
邝俊峰
,
付国柱
,
高博
,
高文涛
,
黄金英
,
廖燕平
,
荆海
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.009
采用钨丝催化化学气相沉积(Cat-CVD)方法制备多晶硅(p-Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响.XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520 cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的...
关键词:
多晶硅薄膜
,
氢原子
,
催化化学气相沉积
张玉
,
荆海
,
付国柱
,
高博
,
廖燕平
,
李世伟
,
黄金英
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.008
采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层.这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能.文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分...
关键词:
催化化学气相沉积法
,
多晶硅薄膜
,
非晶硅孕育层
,
氢原子刻蚀
,
晶核
,
晶化速率
