武德起
,
姚金城
,
赵红生
,
张东炎
,
常爱民
,
李锋
,
周阳
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.012
采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力.X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度.原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有...
关键词:
高介电栅介质材料
,
激光分子束外延
,
二氧化铪
武德起
,
赵红生
,
姚金城
,
张东炎
,
常爱民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00865
传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求, 因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究, 进展迅速. 本文综述了国内外对高介电材料的研究成果, 并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
关键词:
高介电栅介质
,
recrystallization temperature
,
lowK interface layer
,
metal gate
武德起
,
赵红生
,
姚金城
,
张东炎
,
常爱民
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.001
传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速,本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
关键词:
高介电栅介质
,
晶化温度
,
低介电界面层
,
金属栅电极
靳先静
,
常爱民
,
张惠敏
,
张东炎
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01013
为制备材料常数(B值)1900K左右宽温区NTC热敏电阻,将Pechini方法制备的Mn0.43Ni0.9CuFe0.67O4粉体置于2.45GHz多模腔微波炉中,经不同温度下微波煅烧压制成型后,于1000℃下微波烧结.采用红外(FT-IR),X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),粒度分析分别对...
关键词:
微波烧结
,
微波煅烧
,
NTC
,
Pechini法
