郜锦侠
,
张义门
,
张玉明
,
汤晓燕
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.012
在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究.首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在N+D/N-A≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面...
关键词:
等效沟道厚度
,
SiC
,
隐埋沟道
,
MOSFET
,
亚阈特性
徐大庆
,
张义门
,
李培咸
,
娄永乐
,
刘树林
,
童军
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.003
通过Mn离子注入 Mg 掺杂 GaN 外延层制备了铁磁性 GaN∶Mn 薄膜,利用拉曼散射和光致发光谱研究了退火温度对薄膜微结构和光学特性的影响。拉曼谱测试显示由离子注入相关缺陷引起了新的声子模,分析认为Mn离子相关的局域振动(LVM)紧邻 Ehigh2峰。光致发光谱观察到位于1．69,2．54和2...
关键词:
GaN
,
离子注入
,
拉曼散射
,
光致发光
程萍
,
张玉明
,
张义门
人工晶体学报
采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计算.结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和Vsi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷Vsi向稳定型本征缺...
关键词:
本征缺陷
,
第一性原理
,
形成能
,
4H-SiC
