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掺镱钇铝石榴石激光透明陶瓷超细粉体的研究

李云辉 , 张伟娜 , 刘景和 , 周永昶 , 姜道新

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2005.06.027

钇铝石榴石(YAG)透明陶瓷是制造大功率、发光效率高的小型激光器的良好材料.而制备掺镱钇铝石榴石(Yb:YAG)透明陶瓷的关键在于制备出粒度均匀、化学纯度高、分散性好的YAG超细粉体.本文以Y2O3、Yb2O3、Al2(NO3)3·9H2O为原料,以Yb:Y:Al=0.06:2.94:5的配比掺杂2%的Yb取代Y,配成硝酸盐溶液,用NH4HCO3作为沉淀剂,用碳酸盐共沉淀法制备Yb:YAG前驱超细粉体,并用TG-DTA、XRD、IR、SEM等测试方法对其粉体结构和形貌进行分析.结果表明:在1 100℃煅烧过程中,失重约为41%.所得到的Yb:YAG粉体结晶好,烧结性高、纯度较好、形状规则,粒径均匀,均在200~300 nm之间.

关键词: 三氧化二钇 , 钇铝石榴石 , 透明陶瓷 , 共沉淀法

疏水性二氧化硅气凝胶性能表征

李云辉 , 张文娟 , 张伟娜 , 杨秀云 , 任敏 , 朱果逸

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.03.016

目前SiO2气凝胶是世界上最轻、隔热性最好、孔隙率较高且声传播速率较低的固体材料,由于其特殊的网络结构使其具有很多独特的性能,而制备疏水性气凝胶是解决常压干燥过程中体积收缩和开裂的关键.采用溶胶-凝胶法以三甲基氯硅烷(TMCS)为化学表面修饰剂通过衍生法制备了疏水性二氧化硅气凝胶,并利用X射线衍射光谱、扫描电镜、能量色散谱、透射电镜、红外光谱、差热-热重分析等测试方法对其结构、形貌及化学组成进行了分析.研究表明:该样品是表面连有疏水基团-CH3的疏水性SiO2气凝胶,且组成其连续网络结构的球状纳米粒子纯度较高、粒径均匀,是热稳定性较高的非晶、多孔、轻质纳米材料.

关键词: 疏水性气凝胶 , 二氧化硅 , 溶胶-凝胶 , 常压干燥

预热时间对钢轨铝热焊焊缝组织和力学性能的影响

张伟娜 , 林哲 , 谭毅

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2008.04.005

对铝热焊接不同预热时间(5.5,4.5,3.5,2.5 min)下PD3钢轨焊缝的显微组织、力学性能和断裂机制等进行了研究.结果表明:在上述预热工艺下铝热焊缝处的组织均为铁素体和珠光体,焊缝中心处的硬度最低,缩短预热时间硬度值稍有提高,随着离开焊缝中心距离的增加硬度值提高,热影响区靠近焊缝处硬度较大,向母材一侧逐渐降低;焊缝处轨头部位的抗拉强度最高,轨脚次之,轨腰部位最低;随着预热时问的增加,σb和σ0.2略有下降,但对塑性影响不大;拉伸断口均为解理断口,显示脆性断裂.

关键词: 铝热焊接 , PD3钢 , 显微组织 , 力学性能 , 断裂机制

显微组织对冶金法制备多晶硅电阻率的影响

张伟娜 , 谭毅 , 许富民

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2008.01.005

利用四探针电阻测试仪、光学显微镜、扫描电镜、电感耦合等离子发射光谱仪、能谱分析等设备,从晶粒尺寸、组织形态以及晶界析出物等对冶金法制备的多晶硅电阻率的影响.结果表明:组织为等轴晶时,电阻率的大小与晶粒大小成正比;在组织为柱状晶时,平行于柱状晶方向的电阻率明显高于垂直方向的电阻率;在纯度较低的多晶硅中,金属杂质易在晶界处偏析,形成金属硅化物相,降低了多晶硅材料的电阻率.

关键词: 多晶硅 , 冶金法 , 电阻率 , 晶界 , 金属硅化物

钢轨铝热焊缝的微观缺陷种类和形成机制

张伟娜 , 许富民 , 谭毅

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2007.11.012

通过扫描电镜观察铝热焊接钢轨焊缝拉伸和冲击断口的断口形貌及能谱对缺陷进行成分分析,研究了使用中合格的铝热焊缝的微观缺陷的种类和形成机制.结果表明:微观缺陷主要包括微孔和夹杂,其中微孔由微气孔和微缩孔组成,夹杂物按形态和尺寸分为团簇状夹杂、锥状夹杂、粒状夹杂、积聚物夹杂、丝状夹杂和混合形夹杂.夹杂物的形成原因主要为硫磷含量过高形成偏析物;氧或硅含量过高形成氧化物或硅酸盐;操作工艺不当造成铝热剂熔化不完全形成铁、硅夹杂.

关键词: 铝热焊 , 微观缺陷 , 形成机制 , 微孔 , 夹杂物

镍对冶金法制备多晶硅电学性能的影响

张伟娜 , 许富民 , 谭毅

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.04.016

电阻率是多晶硅材料最重要的参数之一, 通过高温扩散镍杂质到多晶硅中, 利用四探针电阻测试仪、金相显微镜、扫描电镜(SEM)、电感耦合等离子发射光谱仪(ICP)、能谱分析(EDS), X射线衍射仪(XRD)等设备, 研究了镍对多晶硅电阻率的影响及机制.研究结果表明: 镍杂质使N型多晶硅电阻率增加, 使P型多晶硅电阻率减小;高温冷却后, 大量的镍与硅形成NiSi2析出相在多晶硅表面析出, 并对硅中的铁有吸附作用, 由于铁含量少而形成Fe0.42Si2.67新相且在表面析出, 这些硅化物会引起电阻率的变化.

关键词: 多晶硅 , 冶金法 , 电阻率 , 金属硅化物

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