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Ce_0.8Sm_0.2O_1.9基纳米复合材料的共沉淀合成与氧离子导电性

张鸿 , 张哲 , 马国强 , 张宇星 , 李志成

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00353

用化学共沉淀法制备了Ce_0.8Sm_0.2O_1.9-La_9.33Si₆O₂₆纳米复合氧离子导电材料，通过X射线衍射和透射电子显微镜对合成材料的相结构进行了分析，利用交流阻抗分析测试研究了材料的离子导电性. 结果表明，纳米复合材料的煅烧粉末的平均晶粒尺寸为20nm、烧结陶瓷体的平均晶粒尺寸为44nm；700℃时，纳米复合导电体的离子导电率为0.25Ω/cm；在整个测试温度范围内，纳米复合导电体比纯La_9.33Si₆O₂₆提高了3个以上数量级，并高于纯相Ce_0.8Sm_0.2O_1.9的导电性.

关键词: 纳米复合材料 , coprecipitation synthesis , oxide-ion conductivity

Ce0.8Sm0.2O1.9基纳米复合材料的共沉淀合成与氧离子导电性

张鸿 , 张哲 , 马国强 , 张宇星 , 李志成

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00353

用化学共沉淀法制备了Ce0.8Sm0.2O1.9-La9.33Si6O26纳米复合氧离子导电材料,通过X射线衍射和透射电子显微镜对合成材料的相结构进行了分析,利用交流阻抗分析测试研究了材料的离子导电性.结果表明,纳米复合材料的煅烧粉末的平均晶粒尺寸为20nm、烧结陶瓷体的平均晶粒尺寸为44nm;700℃时,纳米复合导电体的离子导电率为0.25Ω/cm;在整个测试温度范围内,纳米复合导电体比纯La9.33Si6O26提高了3个以上数量级,并高于纯相Ce0.8Sm0.2O1.9的导电性.

关键词: 纳米复合材料 , 共沉淀合成 , 氧离子导电性

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