丁国强
,
苏小平
,
屠海令
,
张峰燚
,
涂凡
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.015
利用数值模拟和实验相结合的方法,研究了4英寸VGF GaAs单晶的生长.首先基于炉体结构和所采用材料,建立一个和真实单晶生长系统接近的炉体模型.根据此模型,采用晶体生长模拟软件CrysMas计算得到整个炉体内的温度分布、晶体及熔体的温度梯度、界面位置等.通过对单晶生长不同时间点的模拟,制定了一套单晶...
关键词:
砷化镓
,
单晶
,
数值模拟
,
垂直梯度凝固
