秦志新
,
陈志忠
,
于彤军
,
张昊翔
,
胡晓东
,
杨志坚
,
李忠辉
,
张国义
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.001
研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次...
关键词:
氮化镓基LED
,
欧姆接触
,
氧化
叶志镇
,
张昊翔
,
赵炳辉
,
王宇
,
刘红学
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.001
采用反应蒸发法在提高了缓冲层的生长温度,通过对Si基上GaN样品缓冲层区域的高分辨透射电镜像(HRTEM)和界面区域的选区电子衍射(SAED)分析的基础上,提出了本系统GaN外延的晶体学位相关系和生长机理.GaN与Si衬底之间存在着下列的晶体学位相关系:GaN<0001>∥Si<1...
关键词:
氮化镓
,
硅基
,
外延
,
位相关系
,
生长机理
陈丹
,
吕建国
,
黄靖云
,
金豫浙
,
张昊翔
,
叶志镇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12482
采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能.当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优.将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层,在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰,但芯片工作电压较高,约为10V,芯片亮度随正向...
关键词:
AZO薄膜
,
GaN基LED
,
透明电极
,
脉冲激光沉积
