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检索条件:作者=张春熹  

  • 论文(4)

硅基光电集成材料及器件的研究进展

韦文生 , 张春熹 , 周克足 , 王天民

材料导报

以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响.分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础.归纳出硅基键合激光器的四种技术方案,指出其共同优点是克服材料异质外延引起的晶格失配和热膨胀非...

关键词: , 光波导材料 , 硅基集成光学器件

nc-Si:H薄膜的内应力特性研究

韦文生 , 王天民 , 张春熹 , 李国华 , 韩和相 , 丁琨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.010

测试了采用 PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力.利用 XRD、 Raman、AFM、HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了 nc-Si:H薄膜的内应力.结果表明: nc-Si:H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺.压应力随掺杂...

关键词: nc-Si:H薄膜 , 微结构 , 内应力

Nc-Si:H薄膜器件的研究

韦文生 , 徐刚毅 , 王天民 , 张春熹

材料导报

介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si:H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点.

关键词: nc-Si:H薄膜 , 隧道二极管 , 异质结二极管 , 变容二极管 , 太阳能电池 , 单电子晶体管 , 发光二极管

掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长

韦文生 , 王天民 , 张春熹 , 李国华 , 韩和相 , 丁琨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.006

利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 nc- Si)有择优生长的趋势.用 HRTEM、 XRD、 Raman等方 法研究掺硼 nc- Si:H薄膜的微观结构时发现: 掺硼 ...

关键词: nc-Si:H薄膜 , 掺硼 , 纳米硅晶粒 , 择优生长 , 电场