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检索条件:作者=张晓凯  

  • 论文(9)

溶胶-凝胶法制备GaN颗粒

刘亦安 , 薛成山 , 庄惠照 , 张晓凯 , 田德恒 , 吴玉新 , 孙莉莉 , 艾玉杰 , 王福学

稀有金属材料与工程

以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征.结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合...

关键词: 溶胶-凝胶法 , 氨化 , GaN晶粒

溶胶-凝胶法制备GaN颗粒

刘亦安 , 薛成山 , 庄惠照 , 张晓凯 , 田德恒 , 吴玉新 , 孙莉莉 , 艾玉杰 , 王福学

稀有金属材料与工程

以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征.结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合...

关键词: 溶胶-凝胶法 , 氨化 , GaN晶粒

氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线

孙莉莉 , 薛成山 , 艾玉杰 , 孙传伟 , 庄惠照 , 张晓凯 , 王福学 , 陈金华 , 李红

功能材料

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(...

关键词: 磁控溅射 , 氨化 , GaN薄膜 , Ti

氨化Si基Ga2O3/In制备GaN薄膜

王福学 , 薛成山 , 庄惠照 , 张晓凯 , 艾玉杰 , 孙丽丽 , 杨兆柱 , 李红

功能材料

研究了Ga2O3/In 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的...

关键词: GaN , Ga2O3/In , 氨化 , 磁控溅射

氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜

薛成山 , 王福学 , 庄惠照 , 张晓凯 , 艾玉杰 , 孙丽丽 , 陈金华 , 秦丽霞

功能材料

研究了Ga2O3/In2O3 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射 (XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析.测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶...

关键词: GaN , Ga2O3/In2O3 , 氨化 , 磁控溅射

氮化铟粉末的热稳定性

王福学 , 薛成山 , 庄惠照 , 艾玉杰 , 孙丽丽 , 杨兆柱 , 张晓凯

稀有金属材料与工程

用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在空气中的热稳定性进行了分析研究.结果表明:当温度低于400℃时,InN非常稳定;但当温度超过500℃时,InN很容易被氧化;当温度增加到600℃时,InN被完全氧化成In2O3.

关键词: 热稳定性 , InN , In2O3

氮化铟粉末在N2气中的热稳定性

王福学 , 薛成山 , 庄惠照 , 张晓凯 , 艾玉杰 , 孙丽丽 , 杨兆柱

稀有金属材料与工程

用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在N2气中的热稳定性进行了分析.结果表明:当温度超过600℃时,一部分InN粉末被氧化;但当温度增加到800℃时,一部分InN粉末分解成In和N2;一部分InN粉末转变成In2O3粉末.

关键词: 热稳定性 , N2 , InN粉末 , 分解 , In2O3

衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响

庄惠照 , 何建廷 , 薛成山 , 张晓凯 , 田德恒 , 胡丽君 , 薛守斌

稀有金属材料与工程

在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜.通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构...

关键词: PLD , ZnO , 薄膜 , 六方纤锌矿结构

硅基正六边形氮化镓纳米颗粒薄膜的制备,结构和形貌特性

庄惠照 , 薛守斌 , 薛成山 , 张晓凯 , 滕树云 , 胡丽君

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.005

本文通过在ZnO/Si(111)衬底上,利用JCK-500A型射频磁控溅射系统溅射氧化镓靶得到氧化镓薄膜.然后将硅基Ga2O3置于管武石英炉中,在850℃的氨化温度下氨化15min后,成功制备出GaN薄膜,该薄膜由正六边形的晶粒组成.X射线衍射(XRD)表明GaN具有六方纤锌矿结构,晶格常数为a=0...

关键词: 氨化法 , 氮化镓薄膜 , 氧化镓薄膜 , 正六边形结构晶粒