张检明
,
邵曹杰
,
卢荣春
,
于得洋
,
张月昭
,
王伟
,
刘俊亮
,
蔡晓红
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.02.254
无论对深入理解电子-原子的作用机制，还是在材料等领域的实际应用，电子轰击原子的内壳电离截面都具有重要意义。当前电子碰撞引起原子内壳电离的实验数据多集中在几十keV入射能量和中小Z靶原子，其它数据相对比较缺乏。本工作以能量为1.0 MeV电子轰击Ta和Au靶，通过测量靶原子特征X射线的产额，获得其K壳电离截面分别为13.3和10.1 b，L壳电离截面分别为554和338 b。并将实验结果和相应的理论进行了对比，结果显示，本实验测得的K壳电离截面与Casnati、Hombourger理论值、L壳电离截面与Scofield和Born-Bethe的理论值相符。
关键词:
电子碰撞
,
内壳电离
,
电离截面
徐冰
,
赵俊亮
,
张检明
,
孙小卫
,
诸葛福伟
,
李效民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11499
采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列, 以提高LED芯片的出光效率. 通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性, 进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列. 在此基础上, 进一步研究纳米结构形貌对LED芯片出光性能的影响, 探讨纳米结构增强LED芯片发光效率的机理. 结果表明, 较高密度、锥形形貌的ZnO纳米阵列更有利于增强LED芯片的出光效率. 在优化的实验条件下, 表面沉积ZnO纳米阵列的LED芯片比普通LED的出光效率高出60%以上, 并且纳米阵列不影响LED器件的电学性能和发光稳定性.
关键词:
ZnO纳米阵列; 大功率LED芯片; 出光效率; 化学溶液法
徐冰
,
赵俊亮
,
张检明
,
孙小卫
,
诸葛福伟
,
李效民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11499
采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列,以提高LED芯片的出光效率.通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性,进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列.在此基础上,进一步研究纳米结构形貌对LED芯片出光性能的影响,探讨纳米结构增强LED芯片发光效率的机理.结果表明,较高密度、锥形形貌的ZnO纳米阵列更有利于增强LED芯片的出光效率.在优化的实验条件下,表面沉积ZnO纳米阵列的LED芯片比普通LED的出光效率高出60％以上,并且纳米阵列不影响LED器件的电学性能和发光稳定性.
关键词:
ZnO纳米阵列
,
大功率LED芯片
,
出光效率
,
化学溶液法
