张正平
,
王松
,
薛涛
,
秦水介
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.001
本文提出在高真空镀膜系统中通过化学气相沉积(CVD)的方法沉积高纯度的先驱B膜,再经过后退火工艺,Mg扩散进入先驱膜而反应生成了MgB2超导薄膜.经过多种实验方法检测,这种薄膜具有较为优异的超导性能,是一种和传统微电子工艺兼容、适宜于工业化大规模生产MgB2超导薄膜的方法.
关键词:
MgB2
,
超导薄膜
,
CVD
,
后退火
张正平
,
王殿生
,
傅兴华
,
杨健
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.03.002
采用脉冲激光方法，先在YSZ(yttria stablized zirconia)衬底上制备(YBa2Cu3O7-y)/YSZ高温超导薄膜，再用较低的激光能流密度(1.2～1.0Jcm-2)沉积一层NBCO(NdB2Cu3O7-x)薄膜，形成NBCO/YBCO/YSZ双层超导薄膜.在制备完当时,存放40天和存放400天后分别对薄膜进行了X射线衍射分析和电阻-温度曲线测量.结果表明， NBCO/YBCO/YSZ双层膜的转变温度、结晶度和表面稳定性及光滑度都优于YBCO/YSZ薄膜的.在YBCO/YSZ上使用较低的激光能量可以制备出优质的c轴取向NBCO高温超导薄膜.
关键词:
张正平
,
王殿生
,
傅兴华
,
杨健
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.03.003
报道了制备MgB2超导薄膜的一种新方法和测量结果.MgB2超导薄膜的制备采用的是两步异位退火方法,但与现有报道的方法不同的是,制备硼(B)先驱膜采用的是化学气相沉积方法,在460℃温度下热分解乙硼烷(B2H6)沉积的,然后镁(Mg)蒸气中分别在730℃、780℃和830℃条件下退火,生成MgB2超导薄膜.扫描电子显微镜观察表明制备薄膜是多晶的,MgB2晶粒小于2μm.X衍射分析发现所生长的薄膜是随机取向的.800℃条件下退火生成的MgB2超导薄膜起始转变温度和零电阻温度分别达到35K和24K.结果表明,采用B2H6热分解化学气相沉积B先驱膜的方法在优化的沉积条件和退火条件下可以制备高质量的MgB2超导薄膜.我们这种化学气相沉积MgB2超导薄膜方法在大面积的MgB2超导薄膜制备方面较脉冲激光沉积方法具有优势,并且与现有的半导体工艺技术相兼容,有利用实现MgB2超导薄膜在电子器件方面的应用.
关键词:
邓朝勇
,
周勋
,
马凯英
,
张正平
,
丁召
,
傅兴华
中国稀土学报
采用高温固相反应法合成了Eu2+激活的BaMgAl10O17Eu2+荧光粉,并对其发射特性进行了研究.当激活剂离子Eu2+浓度逐步增加时,在254 nm紫外以及147 nm真空紫外激发下,其发射强度和色坐标,,值都体现出了相似的变化规律.在高激活剂离子浓度的BaMgAl10O17:Eu2+ 中存在激活剂离子浓度猝灭现象,同时也对高激活剂离子浓度条件下体系的相关系,以及其对发射特性的影响进行了分析.
关键词:
钡镁铝酸盐
,
浓度猝灭
,
激活剂离子
,
相对发射强度
,
稀土
