王剑屏
,
郝跃
,
彭军
,
朱作云
,
张永华
,
宋国乡
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.014
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出"汽相结晶"过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率,在SiC薄膜的生长过程中,对Si/C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素.这很好地解释了薄膜生长过程中出现的异常现象.
关键词:
碳化硅
,
化学汽相淀积
,
异质外延
,
汽相外延
汪红
,
丁桂甫
,
戴旭涵
,
苏宇锋
,
张永华
,
王志民
功能材料
研究了采用多种氯化物体系电沉积制备CoNiMnP永磁体薄膜及在微继电器、电磁驱动器永磁体阵列器件方面的应用.对薄膜组成、磁性能的对比研究表明:从稀氯化物体系(200mT)中获得的Co82.4Ni11.9Mn0.4P5.3永磁体薄膜具有最好的磁性能:Hc=208790A/m,Br=0.2T,(BH)max=10.15kJ/m3,且脆性小、内应力较低.进一步解析发现这可能是因为与易磁化轴相平行的Co(110)面上存在织构所致.在此基础上采用掩膜电沉积技术成功地制备出微继电器原位制造和电磁驱动器永磁体薄膜阵列.
关键词:
MEMS器件
,
CoNiMnP永磁体薄膜
,
磁性能
,
掩膜电沉积
