马艳
,
杜国同
,
杨树人
,
李正庭
,
李万成
,
杨天鹏
,
张源涛
,
赵佰军
,
杨小天
,
刘大力
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.005
采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜.同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小.PL谱分析表明:随O2气流量加大,带边峰明显增强,深能级峰明显减弱,ZnO薄膜光学质量提高.这些事实说明:在本实验条件下,采用低压MOCVD方法生长的ZnO薄膜在光致发光特性主要依赖于Zn、O组份配比,而不是薄膜的微观结构质量.
关键词:
ZnO薄膜
,
MOCVD
,
PL谱
张源涛
,
崔勇国
,
张宝林
,
朱慧超
,
李万成
,
常遇春
,
杨树人
,
杜国同
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.032
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2).通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性.此外,所生长n-ZnO/p-Si异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小.在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流.
关键词:
ZnO薄膜
,
Si衬底
,
PL谱
,
异质结
刘博阳
,
杜国同
,
杨小天
,
赵佰军
,
张源涛
,
高锦岳
,
刘大力
,
杨树人
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.005
介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法.并通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜.使用X射线衍射(XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究. X射线衍射谱图显示仅在2θ=34.72 °处有一个很陡峭的ZnO (002) 晶面衍射峰,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致.此衍射峰的半高宽为0.282 °,显示出较好的晶体质量.在室温光致发光谱中, 薄膜的紫外发光强度与深能级复合发光的强度比超过10∶1,表明薄膜的光学质量较高.
关键词:
氧化锌
,
金属有机化学气相沉积
,
薄膜
,
生长
崔勇国
,
张源涛
,
朱慧超
,
张宝林
,
李万程
,
杜国同
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.035
采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜.随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜.该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所获得的,而其光学特性是由光荧光谱仪(PL)来测的.与ZnO(002)相比,ZnO(100)薄膜具有更优越的晶体结构特性,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性.对于腐蚀条件不同的GaAs衬底所进行的XPS分析结果表明,ZnO薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富As层.
关键词:
金属有机化学汽相沉积
,
ZnO薄膜
,
半导体材料
