张玉光
,
唐政
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.20.030
结合第一性原理计算和动力学蒙特卡罗模拟研究了稀磁半导体(Ga,Mn) As中Mn杂质的沉积动力学规律.利用第一性原理计算和爬坡弹性带方法计算了Mn杂质的跃迁势垒和结合能,并把这些能量作为动力学蒙特卡罗模拟(Ga,Mn) As微观结构演化的输入数据.结果表明在外延生长退火下长时间的微观结构演化的背后机制是Ga空位调节Mn原子在Ga子晶格上进行扩散.这种扩散会导致Mn原子的聚集,进而降低了居里温度.此外,随着退火温度的升高Mn团簇聚集的速率也更快.在高温退火下容易导致相分离.
关键词:
稀磁半导体
,
掺杂
,
动力学蒙特卡罗
