郜锦侠
,
张义门
,
张玉明
,
汤晓燕
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.012
在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究.首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在N+D/N-A≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面...
关键词:
等效沟道厚度
,
SiC
,
隐埋沟道
,
MOSFET
,
亚阈特性
彭国敏
,
张玉明
,
张福元
,
李晓恒
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2015.10.011
对高铅含硒物料进行了湿法处理工艺探讨,根据物料的X射线荧光光谱分析(XRF)、多元素分析及元素硒的物相分析结果,对比考察了不同强化浸出剂的处理效果,并考察了不同浸出因素对强化浸出效果的影响,同时研究了不同还原因素对浸出液中硒还原率的影响,最终确定了合适的处理工艺.结果表明,采用硫酸作为强化浸出剂硒的...
关键词:
硒
,
湿法
,
强化浸出
,
还原
雷天民
,
吴胜宝
,
张玉明
,
刘佳佳
,
姜海青
,
张志勇
稀有金属
为了研究单层MoS2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层MoS2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、MoS2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构.计算结果显示,2种空位缺陷都具有点缺陷特征,其附近的电子分布呈现...
关键词:
第一性原理
,
MoS2
,
空位
,
电子结构
刘英才
,
张玉明
,
荣鼎慧
,
赵越
,
尹衍升
,
左铁军
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.03.008
利用SEM、EDS等技术对电阻焊薄壁铜铝管焊接界面进行研究,并结合Cu-Al二元相图进行界面分析.研究结果表明在铜铝连接管的焊接界面处,铜与铝进行原子的互扩散,且铜原子向铝侧扩散的深度比铝原子向铜侧扩散的深度要大.对界面进行背散射电子分析和能谱分析,发现界面存在柱状晶形貌的CuAl2相和呈灰白相间的...
关键词:
Cu/Al薄壁管
,
电阻焊
,
界面
,
微观结构
丁莉莉
,
刘英才
,
张玉明
,
胡校苹
,
刘志刚
,
荣鼎慧
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2009.03.005
研究了化学镀法对硅粉进行化学镀铜过程,探讨了甲醛含量、pH值、温度对化学镀铜反应时间及复合粉体颜色的影响和镀层的微观形貌及结构.结果表明:在镀液中,pH值增大、温度升高、甲醛含量增加,可以缩短反应时间,提高镀速.得出最佳工艺条件:甲醛为60～72 ml/L,pH值为12～12.5,60℃.所得复合粉...
关键词:
化学镀
,
硅-铜复合粉体
,
微观形貌
雷天民
,
吴胜宝
,
张玉明
,
刘佳佳
,
郭辉
,
张志勇
稀有金属材料与工程
基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法计算和分析了单层MoS2的电子结构及其光学性质,得到了单层MoS2的能带结构、电子态密度、光吸收谱、反射谱、能量损失谱、光学常数谱和介电函数谱.计算结果显示:单层MoS2具有直接带隙能带结构,禁带宽度为1.726 eV;同时发现,单层MoS2对可...
关键词:
第一性原理
,
MoS2
,
电子结构
,
光学性质
刘志刚
,
刘英才
,
丁莉莉
,
荣鼎慧
,
张玉明
,
胡校苹
机械工程材料
用真空热压烧结法，向含有SiC颗粒的Ce—TZP陶瓷中添加不同含量的Al2O3颗粒；通过XRD、SEM、EDS和力学试验设备等研究了Al2O3含量对复合陶瓷力学性能的影响及其强韧化机理。结果表明：随着Al2O3含量的增加，复合陶瓷的抗弯强度和断裂韧度呈先升高后降低的趋势，Al2O3物质的量分数为9％...
关键词:
ZrO2陶瓷
,
Al2O3
,
力学性能
,
强韧化
荣鼎慧
,
刘英才
,
周拥军
,
张玉明
,
丁莉莉
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.02.024
采用Fe粉和Al粉的混合粉料,利用火焰喷涂加感应重熔制备出Fe-Al金属间化合物涂层,并在750℃退火2 h.用扫描电子显微镜(SEM)观察涂层的微观形貌,用X射线衍射仪(XRD)测定涂层的物相组成.并用维氏硬度计测得退火前后涂层显微硬度,发现涂层显微硬度退火前后变化很大,特别是手工混料涂层,退火后...
关键词:
Fe-Al金属间化合物涂层
,
感应重熔
,
退火
,
显微硬度
程萍
,
张玉明
,
张义门
人工晶体学报
采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计算.结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和Vsi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷Vsi向稳定型本征缺...
关键词:
本征缺陷
,
第一性原理
,
形成能
,
4H-SiC
