孙小斌
,
徐征
,
刘敬伟
,
万丽芳
,
王刚
,
王庆江
,
张凯亮
,
张丽蕾
,
马丽
,
张福俊
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.020
色彩管理技术是实现色彩在各种设备之间传输和再现一致性的重要技术,它已经成为操作系统的一个重要组成部分.文章综述了基于ICC标准的色彩管理技术的原理,介绍了LED背光液晶显示器特征化的实现方法及将来的研究方向.
关键词:
LED背光
,
液晶显示器
,
ICC标准
,
色彩管理模块
,
标准颜色空间
刘然
,
章婷
,
赵谡玲
,
徐征
,
张福俊
,
李远
,
宋林
,
徐叙瑢
功能材料
采用3种不同的方法在氧化铟锡玻璃衬底上沉积一层ZnO纳米晶薄膜,然后采用改进的水热法在制备有ZnO纳米晶薄膜的衬底上生长ZnO纳米棒,实现了纳米棒从无序到有序的生长.从XRD和SEM图可得,有序的纳米棒沿(002)择优取向,基本与衬底垂直,平均直径约为40nm.
关键词:
ZnO纳米晶薄膜
,
改进的水热法
,
ZnO纳米棒
,
有序
刘玲
,
徐征
,
娄志东
,
张福俊
,
孙波
,
裴娟
中国稀土学报
合成了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1,10-菲罗啉-铽(Tb(o-BBA)3(phen))并用于有机电致发光. 研究了Tb(o-BBA)3(phen)与PVK混合薄膜的光致发光特性, 找出了PVK:Tb的最佳比例为3:1. 制备了结构为ITO/PVK:Tb/Al的单层电致发光器件, 得到了铽离子的特征光谱, 其电流-电压特性(I-V)在一定电压范围内符合空间电荷限制电流机制. 研究结果表明稀土铽配合物Tb(o-BBA)3(phen)掺杂PVK体系的光致发光是源于PVK到Tb配合物的能量传递及稀土Tb配合物的直接激发两种作用机制, 而电致发光以载流子俘获为主.
关键词:
铽配合物
,
能量传递
,
载流子俘获
,
电致发光
,
稀土
袁广才
,
徐征
,
张福俊
,
王勇
,
许洪华
,
孙小斌
功能材料
采用射频反应磁控溅射的方法,以ITO(铟锡氧化物)玻璃为衬底,在Al2O3/AlN复合栅极绝缘层上沉积有源层ZnO薄膜,并以Al作为透明薄膜晶体管器件源极和漏极,通过XRD、透射光谱研究了透明薄膜晶体管的有源层ZnO的结晶情况以及对器件在可见光范围内的透过特性的影响,得出以Al2O3/AlN为复合缓冲层薄膜晶体管,在400℃温度下退火处理后,ZnO有源层有较好的c-axis(002)择优取向,器件在可见光的范围内整体透过率在88%以上,从而实现了ZnO-TFT器件在可见光范围内的透明.
关键词:
ZnO薄膜
,
反应磁控溅射
,
透射率
,
透明薄膜晶体管
袁广才
,
徐征
,
张福俊
,
王勇
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.03.012
采用RF-磁控溅射生长铟锡氧化物薄膜(ITO),研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度对薄膜的晶化情况、透过率、电导率以及表面形貌的影响.结果表明:改变In2-x3+(Snx4+·e)O3制备过程中的氧含量使Sn4+·e对电子束缚能力发生变化,过高的氧分压使费米能级EF降低,功函数Ws增大,氧气流量为2 ml/min、退火温度为450℃时薄膜电阻率最低为2.5×10-4 Ω·cm,透过率达88%以上.
关键词:
无机非金属材料
,
反应磁控溅射
,
ITO薄膜
,
快速热退火(RTA)
,
电阻率
袁广才
,
徐征
,
张福俊
,
王勇
,
许洪华
,
孙小斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.022
采用磁控溅射和电子束热蒸发方法制备了ZnO-TTFT(ZnO基透明薄膜晶体管)器件,通过XRD和透射光谱对两种不同制作方法的样品性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TTFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,制得器件的有源层有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85 %以上.研究了退火处理对器件性能的影响,发现快速热退火有利于改善薄膜的晶化,降低缺陷态密度,提高器件的透光性.
关键词:
薄膜晶体管
,
ZnO薄膜
,
透过率
,
快速热退火
宋林
,
徐征
,
赵谡玲
,
张福俊
,
黄金昭
,
黄金英
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.007
有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件.为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善.文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管,其阈值电压为-4.5 V,场效应迁移率0.025 cm2/V·s,开关电流比Ion/Ioff达到9.8×103,与单栅有机薄膜晶体管相比,双栅器件在更低的操作电压下获得了更大的输出电流,场效应迁移率更高,而且通过对两个栅压的调节,对导电沟道实现了更好的控制,器件性能有了较大的提高.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
双栅
,
酞菁铜
