李亮
,
张荣
,
谢自力
,
张禹
,
修向前
,
刘成祥
,
毕朝霞
,
陈琳
,
刘斌
,
俞慧强
,
韩平
,
顾书林
,
施毅
,
郑有炓
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.028
本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响.InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxG...
关键词:
MOCVD
,
InxGa1-xN
,
薄膜
,
缓冲层
王云良
,
倪晓东
,
申江
,
钱萍
,
张禹
金属世界
doi:10.3969/j.issn.1000-6826.2009.z1.009
本论文研究了柱几何条件下磁化等离子体中的相对论磁声孤立波,建立了弱相对论条件下关于磁声孤立波的部分相对论理论模型,利用约化摄动方法得到了描述相对论磁声孤立波的Cylindrical Korteweg-de Vries(CKdV)方程.研究结果表明柱磁声孤立波与一维情况下孤子的性质有很大的不同,在随时...
关键词:
磁声孤立波
,
相对论
,
磁化等离子体
,
动力学
安希忠
,
张禹
,
刘国权
,
秦湘阁
,
王辅忠
,
刘胜新
稀有金属材料与工程
建立了CVD金刚石膜{100}取向生长过程中的化学反应模型,表面吸附生长机制以沟槽处碳氢组元加入的机制为主,并用改进的KMC方法在原子尺度上模拟了该模型下(100)表面的生长过程,给出了衬底温度和甲基浓度等操作参数对膜质量的影响.结果表明,该化学反应模型能够较实际地揭示{100}取向CVD金刚石膜的...
关键词:
CVD金刚石膜
,
KMC方法
,
原子尺度
,
化学反应模型
,
生长机制
安希忠
,
刘国权
,
张禹
,
秦湘阁
,
刘俊友
功能材料
综述了近年来金刚石薄膜形成过程的分子动力学(Molecular Dynamics,简称MD)模拟研究,详细地阐述了原子间相互作用势的选取,总结了不同沉积条件下MD的计算模型和几种典型情况下的模拟结果.研究表明:在原子尺度上,MD方法能较全面地提供有关膜生长的信息,对进一步了解金刚石膜形成的微观机制以...
关键词:
金刚石膜
,
虚拟制备
,
分子动力学模拟
,
原子间作用势
张禹
,
王克昌
,
张荣
,
谢自力
,
韩平
材料导报
综述了近年来利用量子化学计算方法对GaN MOCVD生长机制的研究,详细阐述了近年文献报道的一些GaN MOCVD的生长模型,总结了利用不同生长模型进行计算得出的结果.研究表明,通过对GaN生长模型进行量子化学计算,可以提供GaN生长过程中详细的化学反应信息,对进一步了解GaN MOCVD生长的微观...
关键词:
GaN
,
MOCVD
,
量子化学计算
,
生长模型
符凯
,
张禹
,
陈敦军
,
韩平
,
谢自力
,
张荣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.01.006
根据现有氮化镓(GaN)金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposotion)生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOcvD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟.结果表明,在95...
关键词:
氮化镓
,
计算流体力学
,
蒙特卡洛
,
计算机模拟
张禹
,
韦习成
,
余运龙
,
张浩
人工晶体学报
过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注.总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的应用研究进展,并对存在的问题以及潜在...
关键词:
过渡金属二硫族化合物
,
FET
,
器件
张禹
,
韦习成
,
张浩
人工晶体学报
利用原子层沉积技术(Atomic layer deposition, ALD)进行ZrO2薄膜工艺研究,获得了低温下ZrO2薄膜ALD的最佳工艺条件.分析了在低温下前驱体脉冲时间,吹扫时间生长工艺条件对薄膜性能的影响.以四(二甲基氨)基锆(TDMAZ)和H2O为前驱体,制备了均匀性良好,表面粗糙度低...
关键词:
原子层沉积
,
ZrO2薄膜
,
工艺优化
