时彬彬
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
张继军
,
王林军
,
邢晓兵
,
段磊
,
孟华
,
杨升
人工晶体学报
用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn01Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h.测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、Ⅰ～Ⅴ特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能.结果...
关键词:
溶剂熔区移动法
,
Cd0.9Zn0.1Te
,
红外透过率
,
PICTS
张涛
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
滕家琪
,
时彬彬
,
杨升
,
张继军
,
王林军
稀有金属材料与工程
采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe (CZT)单晶.生长完成后,选取了10～60 K/h不同速率降温处理.采用红外透射显微镜和多道能谱仪分别测试不同降温速率的晶片内部Te夹杂相分布和能谱响应.结果表明,10～30K/h之间的慢速降温会导致晶体内部出现较大尺寸的Te夹杂(＞10 μ.m),4...
关键词:
Te夹杂相
,
降温速率
,
CdZnTe
杨升
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
张继军
,
邢晓兵
,
段磊
,
时彬彬
,
孟华
人工晶体学报
通过对p型CdZnTe(111)面的结构分析,用真空蒸发法在p型CdZnTe晶体(111)面制备出Au/Zn复合电极,运用金相显微镜、AFM测试、SEM剖面观察、EDS成分分析、Ⅰ-Ⅴ特性测试及势垒高度计算等多种手段研究了Au/Zn复合电极对金属和半导体接触性能的影响.结果表明,在P型CdZnTe(...
关键词:
CdZnTe
,
复合电级
,
金半接触
,
势垒高度
彭兰
,
王林军
,
闵嘉华
,
张继军
,
陈军
,
梁小燕
,
严晓林
,
夏义本
功能材料
研究了碲锌镉(CZT)晶片表面的机械研磨和机械抛光工艺.采用不同粒度的Al2O3磨料对CZT晶体表面进行机械研磨和机械抛光,并研究了工艺参数变化对CZT晶体表面质量、粗糙度、研磨速度和抛光速度的影响.结果表明,机械研磨采用粒度2.5μm的Al2O3磨料,最佳的研磨压力和研磨盘转速分别为120g/cm...
关键词:
碲锌镉
,
机械研磨
,
机械抛光
,
研抛速度
,
粗糙度
王东
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
孙孝翔
,
刘伟伟
,
李辉
,
张继军
,
王林军
功能材料
利用温度梯度溶液生长法（TGSG）在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20～30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪（SEM/EDS）和I-V测试分别研究了晶体中的Te...
关键词:
碲锌镉
,
温度梯度溶液生长法
,
红外透过率
,
Te夹杂
段磊
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
张继军
,
凌云鹏
,
杨柳青
,
邢晓兵
,
王林军
人工晶体学报
采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体.测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过率、I-V特性曲线和PL谱图的对比测试.结果表明:头部晶体的Zn含量、红外透过率和电阻率均大于中部;而头部晶体的Te夹杂尺寸、杂质和缺陷含量均小于中部.
关键词:
溶剂熔区移动法
,
Cd0.9Zn0.1Te
,
红外透过率
,
光致发光
陈军
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
张继军
,
王东
,
李辉
人工晶体学报
采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙度,碳膜和石英坩埚的结合力,确定了用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳的最优工艺参数.研究表明,以乙醇为碳源,坩埚真空退火9 h后,碳源通入量为1.5 mL时...
关键词:
CdZnTe晶体
,
真空镀碳
,
粗糙度
,
结合力
,
位错密度
王焱
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
张继军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.05.016
本文采用有限元分析法,应用软件COMSOL,对Cd0.9Zn0.1Te (CZT)晶体垂直布里奇曼生长法进行模拟计算.为了研究固液界面过冷度的影响,通过改进传统的晶体生长模型只考虑热传导和热对流,加上了固液界面前沿过冷度的计算模型,组分过冷临界边界条件约束模型,研究分析了不同温度梯度和生长速率生长C...
关键词:
材料科学基础学科
,
数值模拟
,
组分过冷度
,
曲率过冷度
,
热应力
郝云霄
,
孙晓燕
,
张继军
,
介万奇
人工晶体学报
运用缺陷化学原理近似计算了Cd0.9Mn0.1Te晶体的点缺陷浓度,得到了晶体成分与理想化学计量比偏离最小时的退火条件.利用该退火条件,指导了Cd0.9Mn0.1Te晶体的两温区退火实验,并分析了退火对晶片性能的影响.结果表明:在973 K,Cd气氛下对Cd0.9Mn0.1Te晶片退火140 h后,...
关键词:
Cd0.9Mn0.1Te晶体
,
点缺陷
,
退火
,
Te沉淀相
,
结晶质量
