张维连
,
赵红生
,
孙军生
,
张恩怀
,
陈洪建
,
高树良
,
刘涛
,
胡元庆
,
李颖辉
,
郭丽华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.017
经过化学-机械抛光后,用常规的检验旋涡缺陷的方法没有观察到旋涡缺陷的FZSi片,用高温热氧化法有时则可以观察到明显的旋涡状分布的条纹图形.使用FTIR、XPS、 SEM能谱分析等手段的测量结果表明,这种旋涡状分布的图形与晶体中的掺杂剂(磷、硼)和杂质氧、碳以及重金属杂质没有明显的依赖关系,它是硅中点缺陷在晶体径向截面上呈不均匀条纹状分布的结果.本文对大直径FZSi中的旋涡缺陷的形成机理和消除方法进行了初步的探讨.
关键词:
FZSi
,
旋涡缺陷
,
热对流
,
点缺陷
张维连
,
孙军生
,
张恩怀
,
李嘉席
,
吴小双
,
高树良
,
胡元庆
,
刘俊奇
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.04.014
用永磁体环形磁场直拉(PMCZ)炉代替普通的MCZ炉生长了质量较高的单晶硅在PMCZ炉中水平辐射状磁力线均匀分布,可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动,降低以至消除微观生长速率的起伏.在用PMCZ法生长的硅晶体中氧浓度较低,杂质的径向分布均匀性好简单地讨论了PMCZ法控氧优于普通MCZ法的机理.
关键词:
永磁场直拉(PMCZ)炉 热对流 氧杂质
陈洪建
,
张维连
,
阎文博
,
李养贤
人工晶体学报
本文研究了铁铪双掺铌酸锂晶体的光致散射行为,对比了铁铪双掺铌酸锂晶体还原前后的光致散射结果.结果表明:晶体中的锂空位可使晶体暗电导增加并引起光致散射的泵浦光强阈值效应;高泵浦光强下产生的严重光致散射起源于晶体中的较高的三价铁离子浓度.铁铪双掺铌酸锂晶体具有较好的抑制光致散射的能力.
关键词:
铌酸锂
,
光致散射
,
阈值效应
范波波
,
冀志江
,
张维连
,
王静
涂料工业
doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2008.06.003
通过物理法制备有机硅改性氟碳树脂涂料.改性涂层与普通氟碳涂层比较,吸水率下降4%,对水接触角提高31.4°,同时增强了涂层的抗粘性.通过其他常规性能测试,改性涂层与普通氟碳树脂涂层性能基本没有差别.
关键词:
氟碳树脂
,
有机硅树脂
,
改性
,
疏水性
陈洪建
,
张维连
,
陈贵峰
,
李养贤
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.020
目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等.各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术.氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延原理,分析了HVPE制备自支撑(FS)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展.
关键词:
氮化镓(GaN)
,
氢化物汽相外延(HVPE)
,
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
,
自支撑氮化镓(FS GaN)
张维连
,
牛新环
,
吕海涛
,
张恩怀
,
孙军生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.022
用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1%(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同.但随着掺入晶体中锗浓度的增加, 红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰.锗浓度越高,此峰越明显.该峰可能是由于Ge-C或Si-Ge-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰.
关键词:
直拉法
,
硅锗体单晶
,
氧碳含量
,
FTIR谱图
牛新环
,
张维连
,
吕海涛
,
蒋中伟
,
王雅欣
功能材料
采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000～2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值.结果发现,随锗浓度的提高,样品的禁带宽度逐渐减小.这结论与理论结果相吻合.
关键词:
直拉法
,
晶体生长
,
SiGe体单晶
,
禁带宽度
张维连
,
孙军生
,
檀柏梅
,
张恩怀
,
张颖怀
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.011
等价元素锗(Ge),掺入CZ Si中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行.同时,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体(Ge-VX),降低了空位的浓度.因此,锗掺入到CZ Si中可以抑制新施主(ND)的形成速率和最大浓度,提高了硅的高温稳定性,改善硅材料的内在质量.随着Ge浓度的增加,这种抑制施主效应也越明显.本文简要地探讨了Ge在CZ Si中抑制新施主形成的机理.
关键词:
CZ Si
,
等价掺杂(Ge)
,
新施主
,
热处理
蒋中伟
,
张维连
,
牛新环
,
张书玉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.006
利用傅立叶红外光谱( FTIR)测试技术,研究了掺锗 CZSi的低温和常温红外吸收光谱.发现 高浓度 Ge掺入 CZSi在红外吸收光谱中引起的波数为 1118 cm- 1、 710 cm- 1和 800 cm- 1的新红外 吸收峰,这些峰的吸收强度随 Ge含量的增加也逐渐增强;碳的红外吸收峰( 607 cm- 1)则向低频方 向移动.同时利用 X射线单晶衍射技术( SCXRD)测定了 SiGe( Ge: 10wt%)单晶的晶格常数,结果 表明晶格常数由 Si单晶的 0.54305nm变为 0.5446nm.
关键词:
CZ法
,
SiGe单晶
,
红外光谱
