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光电化学法研究镍基合金在288℃高温水中生成氧化膜的半导体性质

张胜寒檀玉梁可心

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00270

采用光电化学法研究了Incoloy800HT和Inconel600镍基合金在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质. 组成镍合金氧化膜的物相为 Ni的氢氧化物或镍铁氧化物、Cr2O3和FexNi1-xCr2O4, 它们的特征带隙宽度分别为2.3, 2.9/3.5和4.1-4.3 eV. 在-400 mV至+400 mV范围内, Incoloy800HT合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n型半导体性质, Inconel600合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n/p型半导体性质, 同时, 在半导体性质从n型转变为p型的临界电压下, 光电化学响应相角发生180o转变.

关键词: 光电化学响应 , Ni-based alloy , oxide film , semiconductor property , high temperature water

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