丁美凤
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朱俊
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王水力
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张菲
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罗文博
功能材料
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律.X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲层的厚度50nm和沉积温度为750℃的条件下,制得的BaM薄膜c轴取向最好,其(0008)面的ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.289°.扫描电子显微镜(SEM)结果显示此时薄膜的晶粒已有部分呈六角片状.振动样品磁强计(VSM)测试表明,在750℃时沉积的BaM薄膜面外饱和磁化强度为190A/m,剩磁比0.82,薄膜磁性能良好.
关键词:
脉冲激光沉积(PLD)
,
BaM薄膜
,
MgO缓冲层
,
面外磁性能
张菲
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崔琰
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薛鹏飞
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李岩
稀有金属材料与工程
采用金相显微镜、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、示差扫描量热分析(DSC)和力学压缩实验系统研究了Ti69Zr30Fe1高温形状记忆合金的微观结构、相变行为和力学性能.结果表明,Ti69Zr30Fe1合金室温下为单一的针状α”马氏体相(正交结构)孪晶.在加热过程中,合金在580℃左右首先析出纳米尺度的ω相,然后在615℃到633℃之间发生从α”马氏体相到β相的逆相变.冷却时在584℃到529℃之间发生马氏体相变.合金室温压缩临界应力为550 MPa,最大形状记忆效应达到2.1％.
关键词:
Ti-Zr
,
形状记忆合金
,
微观结构
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马氏体相变
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ω相
张菲
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朱俊
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罗文博
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郝兰众
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李言荣
功能材料
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb(Zr0.52T0.48) O3 (PZT)铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介质-半导体结构(MFIS).XRD扫描结果表明,通过MgO缓冲层对界面结构的优化,实现了PZT薄膜沿(111)面择优取向生长.电流-电压(I-V )测试结果显示,MgO缓冲层的引入大大改善了集成体系的电学性能.在外加电压为-8V时,与无MgO缓冲层的MFS异质体系相比较,该MFIS结构的漏电流密度降低了5个数量级.集成体系的电容-电压(C-V)表现出逆时针窗口特征,反映了铁电极化对二维电子气(2DEG)的调制作用.随着缓冲层厚度的降低,铁电极化对2DEG的调制作用逐渐增强.当MgO缓冲层厚度达到2nm时,C-V窗口达到0.7V,阈值电压(Vth)降低到-1.7V,阈值电压(Vth)降低到-1.7V.
关键词:
脉冲激光沉积
,
PZT
,
MgO
,
C-V
,
I-V
