张国栋
,
李春龙
,
王善朋
,
张翔
,
张西霞
,
陶绪堂
无机材料学报
doi:10.15541/jim20130601
采用单温区法合成了CdSiP2(CSP)多晶原料,然后采用垂直布里奇曼法生长了大尺寸的CSP单晶。采用扫描电子显微镜、EDS 对晶体中光散射颗粒的尺寸、形貌和成分进行了观察和检测。测试结果表明,所生长的 CSP晶体中的光散射颗粒呈近椭圆形,尺寸为2~8μm,主要成分为Si,含量占88%以上。对CSP...
关键词:
磷硅镉
,
非线性光学晶体
,
晶体缺陷
,
垂直布里奇曼法
