苏学军
,
李岩
,
张金春
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2002.03.013
采用MOCVD工艺在Ts=440℃条件下制备组分Bi/Ti=1.44的非晶态薄膜,经过快速退火处理,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12 铁电薄膜,在Ts=400℃条件下制备组分Bi/Ti=1.11的非晶态薄膜,经过快速退火处理,制备高度择优取向的Bi2Ti2O7薄膜,较好的退火温度为630℃、时间为60s;快速退火对薄膜组分的影响不大,在相同的退火温度下,生成43相还是22相取决于退火前薄膜材料的组分.
关键词:
MOCVD
,
XRD
,
快速退火
,
EDAX
苏学军
,
李岩
,
张金春
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2002.05.009
采用金属有机化学气相沉积工艺和快速退火工艺,在硅(100)基片上制备高度择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜,运用X射线衍射术分析薄膜材料的结构,通过测量材料的电滞回线和漏电流密度,研究快速退火对Bi4Ti3O12薄膜电性能的影响.在优化的工艺条件下,Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化强度(Pr)为8μC/cm2,漏电流密度为10-11 A/cm2.
关键词:
快速退火
,
铁电薄膜
,
金属有机化学气相沉积
,
X射线衍射