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含铅GaSb基半导体的热电输运特性

王鸿翔 , 应鹏展 , 张钦祥 , 颜艳明 , 崔教林

人工晶体学报

GaSb是Ⅲ-Ⅴ族系列直接带隙半导体材料,其内部的缺陷性质对调控材料的热电性能具有重要作用.研究发现,在GaSb中掺杂Pb后材料内部产生了大量的反结构受主缺陷Pbsb-及施主缺陷PbCa+,但本征缺陷VGa3-和SbGa2+浓度减少.这些缺陷浓度的变化直接调控了材料的热电输运性能.例如,掺杂0.25...

关键词: 热电材料 , GaSb基半导体 , 结构缺陷 , 声电输运特性