韦志仁
,
韩伟超
,
马玲鸾
,
段光杰
,
刘清波
,
强勇
,
高平
,
张晓军
人工晶体学报
采用6 mol/L KOH作为矿化剂,SnO2、CoCl2和ZnO按物质的量比为0.02∶0.5∶1的比例混合作为前驱物,填充度70％,温度430℃,时间24h,采用水热法制备出Co、Sn元素掺杂的ZnO晶体.Sn元素掺杂明显改变了晶体的极性生长特征,较大面积的显露正极面c｛0001｝面,还显露柱面...
关键词:
水热法
,
氧化锌
,
顺磁性
韦志仁
,
强勇
,
彭翔宇
,
高平
,
董国义
人工晶体学报
采用气相反应制备了ZnO和ZnO∶Co微晶,并通过热释光研究了材料中的电子陷阱能级(施主能级),采用微波介电谱研究了材料的光生电子瞬态过程.发现纯ZnO热释光谱有两个峰,分别为-183 ℃和-127 ℃,说明存在两个电子陷阱能级;而ZnO∶Co中热释光信号很弱,只有纯ZnO的十分之一.微波介电谱研究...
关键词:
ZnO
,
电子陷阱
,
掺杂
,
光生电子
刘清波
,
马玲鸾
,
强勇
,
段平光
,
韩伟超
,
韦志仁
人工晶体学报
采用水热法以CoO、ZnO混合为前驱物制备了ZnO晶体,矿化剂为6 mol/L KOH,填充度70％,温度430℃,两种样品CoO、ZnO组分物质的量百分比分别为0.5∶1和1∶1.当前驱物为nCo∶nZn=0.5∶1时,合成出Zn1-xCoxO晶体,Co元素掺杂量分别为6.83 at％和9.30 ...
关键词:
稀磁半导体
,
水热法
,
氧化锌晶体
