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铝和氮化铝陶瓷结合强度与机理研究

彭榕 , 周和平 , 宁晓山 , 徐伟

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00249

在氮气气氛下、保温10min、948~1098K利用活性金属铸接方法制备铝/氮化铝陶瓷基板, 用力学试验机、扫描电子显微镜、高温金相光学显微镜和原子力显微镜对铝/氮化铝陶瓷的结合强度和机理进行研究. 结合温度低于973K时, 铝和氮化铝陶瓷之间的剥离强度随结合温度升高线性增大, 当结合温度超过973K时, 结合温度对强度影响很小, 铝和氮化铝陶瓷之间的结合强度约为49N/mm, 铝和氮化铝陶瓷之间的结合为物理湿润和化学反应湿润共同作用.

关键词: 铝/氮化铝陶瓷基板 , bonding strength , bonding mechanism

铝/氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究

彭榕 , 周和平 , 宁晓山 , 林渊博 , 徐伟

无机材料学报

在675~750℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法将金属纯Al敷接在AlN电子陶瓷基板上,随后利用力学拉伸试验机测试了Al和AlN的结合强度,其界面抗拉强度>15.94MPa,然后使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究其界面的微观结构,发现在Al/AlN界面没有任何新物质生成,金属铝晶粒直接在AlN陶瓷表面结晶长大.

关键词: 敷接 , Al , die-casting-bonding

Al/Al2O3陶瓷接合基板的制备及性能研究

彭榕 , 周和平 , 宁晓山 , 徐伟 , 林渊博

无机材料学报

在675~825℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法制备出Al/A12O3电子陶瓷基板,利用力学拉伸试验机测试了Al和Al2O3的结合强度,界面抗拉强度>15.94MPa,使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究了其界面的微观结构.

关键词: 敷接 , Al , die-casting-bonding Al2O3 substrates

一种低烧、低介、高频多层片式电感用的介质材料

罗凌虹 , 周和平 , 彭榕 , 乔梁

无机材料学报

利用复合结构原理,研制出“硼硅玻璃+α-石英+硅酸锌”系低烧低介陶瓷材料,利用XRD、HP4194频谱仪、SEM分析了该材料的晶相组成、介电性能及显微结构.结果表明:在高频下,该材料具有很低的介电常数(=4~5,1MHz)和很低的介电损耗(tanδ<0.001,1MHz);同时能在低于900℃温度下烧结.该材料是一种理想的适用于高频(1GHz以上)多层片式电感(MLCIs)元件用的介质材料.同时得出:在该组成中,硼硅玻璃重烧结的过程中有方石英析出;少量硅酸锌由于锌离子进入玻璃中而转变为亚硅酸锌;硅酸锌在该组成中有助烧结的作用,该材料介电性能随频率的变化与德拜方程的描述基本吻合.

关键词: “硼硅玻璃+α-石英+硅酸锌” , dielectric materials , high frequency MLCIs

一种低烧、低介、高频多层片式电感用的介质材料

罗凌虹 , 周和平 , 彭榕 , 乔梁

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.03.018

利用复合结构原理,研制出"硼硅玻璃+α-石英+硅酸锌"系低烧低介陶瓷材料,利用XRD、HP4194频谱仪、SEM分析了该材料的晶相组成、介电性能及显微结构.结果表明:在高频下,该材料具有很低的介电常数(K=4~5,1MHz)和很低的介电损耗(tanδ<0001,1MHz),同时能在低于900℃温度下烧结.该材料是一种理想的适用于高频(1GHz以上)多层片式电感(MLCIs)元件用的介质材料.同时得出:在该组成中,硼硅玻璃重烧结的过程中有方石英析出;少量硅酸锌由于锌离子进入玻璃中而转变为亚硅酸锌;硅酸锌在该组成中有助烧结的作用,该材料介电性能随频率的变化与德拜方程的描述基本吻合.

关键词: "硼硅玻璃+α-石英+硅酸锌" , 介质材料 , 高频MLCIs

Al/Al2O3陶瓷接合基板的制备及性能研究

彭榕 , 周和平 , 宁晓山 , 徐伟 , 林渊博

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.015

在675~825°C、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法制备出Al/Al2O3电子陶瓷基板,利用力学拉伸试验机测试了Al和Al2O3的结合强度,界面抗拉强度>15.94MPa,使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究了其界面的微观结构.

关键词: 敷接 , 剥离强度 , Al/Al2O3电子陶瓷基板

铝/氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究

彭榕 , 周和平 , 宁晓山 , 林渊博 , 徐伟

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.020

在675~750℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法将金属纯Al敷接在A1N电子陶瓷基板上,随后利用力学拉伸试验机测试了Al和AlN的结合强度,其界面抗拉强度>15.94MPa,然后使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究其界面的微观结构,发现在Al/AlN界面没有任何新物质生成,金属铝晶粒直接在AlN陶瓷表面结晶长大.

关键词: 敷接 , 结合强度 , Al/AlN电子陶瓷基板

铝和氮化铝陶瓷结合强度与机理研究

彭榕 , 周和平 , 宁晓山 , 徐伟

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00249

在氮气气氛下、保温10min、948~1098K利用活性金属铸接方法制备铝/氮化铝陶瓷基板,用力学试验机、扫描电子显微镜、高温金相光学显微镜和原子力显微镜对铝/氮化铝陶瓷的结合强度和机理进行研究.结合温度低于973K时,铝和氮化铝陶瓷之间的剥离强度随结合温度升高线性增大,当结合温度超过973K时,结合温度对强度影响很小,铝和氮化铝陶瓷之间的结合强度约为49N/mm,铝和氮化铝陶瓷之间的结合为物理湿润和化学反应湿润共同作用.

关键词: 铝/氮化铝陶瓷基板 , 结合强度 , 结合机理

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