熊礼威
,
彭环洋
,
张莹
,
汪建华
,
崔晓慧
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.01.013
首先从成键结构的角度分析了DLC薄膜摩擦性能的由来,然后分别从DLC薄膜的沉积工艺(包括制备方法、气源种类和掺杂元素)、摩擦环境条件和基底材料选择等三方面入手,讨论了影响DLC薄膜摩擦性能的主要因素及其影响规律. 经过总结发现,通过调节DLC薄膜的沉积工艺可以改变DLC薄膜中sp2 杂化碳的含量以及...
关键词:
类金刚石薄膜
,
摩擦性能
,
摩擦系数
,
固体润滑薄膜
,
附着力
熊礼威
,
彭环洋
,
汪建华
,
崔晓慧
,
龚国华
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.10.007
首先详细介绍了金刚石作为半导体材料的优异性能,然后从应用角度阐述了NCD薄膜掺B后形成半导体材料的优势,接着探讨了影响NCD薄膜性能(电性能、光学性能、生物性能等)的主要工艺条件(包括硼源种类、掺硼浓度、衬底温度、后处理).研究发现,大多数研究者都采用液态和气态硼源,而固态硼源由于很难液化且浓度不易...
关键词:
硼掺杂
,
纳米金刚石薄膜
,
电性能
,
硼源浓度
,
衬底温度
熊礼威
,
彭环洋
,
汪建华
,
崔晓慧
,
龚国华
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.03.012
目的：研究不同甲烷体积分数对纳米金刚石( NCD)薄膜生长的影响,实现较小晶粒尺寸、高平整度的NCD薄膜的制备。方法采用微波等离子体增强化学气相沉积的方法制备NCD薄膜,以CH4/H2为气源,在生长阶段控制其他条件不变的前提下,探讨不同甲烷体积分数对NCD晶粒尺寸、表面形貌以及表面粗糙度的影响。采用...
关键词:
纳米金刚石薄膜
,
MPCVD
,
晶粒尺寸
,
表面粗糙度
,
甲烷体积分数
,
表面形貌
熊礼威
,
彭环洋
,
汪建华
,
崔晓慧
,
龚国华
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.01.008
目的 研究不同H2/Ar流量比对纳米金刚石形貌和结构的影响.方法 采用MPECVD法制备了质量较好的纳米金刚石薄膜,并通过SEM、XRD对金刚石薄膜的形貌、结构以及晶粒尺寸进行了测试,还使用Raman对金刚石D峰、纳米金刚石特征峰(TPA)的变化趋势进行了分析.结果 当Q(H2):Q(Ar)=50:...
关键词:
H2/Ar流量比
,
NCD薄膜
,
表面形貌
,
MPECVD
,
平整度
,
晶粒尺寸
