黄育红
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介万奇
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徐凌燕
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骆娟宁
人工晶体学报
本文采用密度泛函第一性原理的理论计算方法,研究了二元化合物半导体ZnS(Se、Te)的电子能带结构、弹性及光学性质.计算得到的弹性相关的物理量如弹性常数和实验值符合较好.低温下ZnS、ZnSe和ZnTe的德拜温度分别为274.725 K、220.466 K和162.165 K,随阴离子半径的增大,德拜温度呈减小趋势.ZnS、ZnSe和ZnTe的静态介电常数ε1(0)分别为4.71、5.58和7.18.在低能区,介电函数实部随入射光子能量的增加而增加,ZnTe的介电常数值达到最大值(13.78)时对应的光子能量最小(3.61 eV).ZnS、ZnSe和ZnTe的静态折射率分别为2.17、2.36和2.68.在外场作用下,这三者的折射率最大值分别为nZaS(7028 eV)=3.57、nZnSe(6.60 eV) =3.56和nZnTe (3.69 eV)=3.82.通过吸收系数图谱拟合出ZnS(Se、Te)的吸收边分别为3.7953 eV、2.9329 eV和2.48765eV,与实验值非常接近.
关键词:
电子能带结构
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弹性
,
介电常数
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折射率
,
吸收边
刘伟华
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介万奇
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王涛
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徐凌燕
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徐亚东
功能材料
采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)分别生长了A1掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体,并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响.在相同的工艺条件下,A1掺杂晶体获得了6 × 109～2 × 1010Ω·cm的高电阻率,呈弱p或弱n型导电;In掺杂晶体电阻率在105Ω·cm数量级,呈n型导电;A1掺杂晶体在波数4000～500cm-1范围内红外透过率平直且较高,而In掺杂晶体红外透过率随波数下降而降低,在波数1250cm-1处降至零.采用A1掺杂晶片制备的探测器对241Am 59.54keV射线的能量分辨率为14%,表明所生长A1掺杂晶体基本满足了探测器材料使用要求.
关键词:
Cd0.9Zn0.1Te
,
Al掺杂
,
霍尔测试
,
红外透过率
