戴中华
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姚熹
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徐卓
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冯玉军
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王军
稀有金属材料与工程
研究了温度、等静压力对PbLa(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷相变、介电常数(εr)及损耗(tanδ)的影响.结果表明:在温度场下,随着温度的升高,PbLa(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷从四方反铁电相(AFET)转变为立方顺电相(PEc),在低温段出现频率弥散现象;在压力场下,随着等静压力的增加极化过的A...
关键词:
等静压
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极化
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频率弥散
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PLZST陶瓷
周明斌
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李振荣
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李静思
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吴熙
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范世马豈
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徐卓
人工晶体学报
以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础.高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈.在GaN体单晶的几种生长方法中,由于Na助熔剂法的生长条件相对温和且成本相对较低,近年来发展较快.本文从Na助熔剂法的原理、生长工艺、助熔剂...
关键词:
氮化镓
,
体单晶
,
Na助熔剂法
,
进展
周明斌
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李振荣
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范世(马岂)
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徐卓
人工晶体学报
采用Na助熔剂法在7 MPa氮压下并引入较大温度梯度(20~70℃/cm),获得了大量毫米级的GaN晶体,GaN晶体产率高达70%以上.光学及SEM照片显示其晶形大部分为六方锥体.晶体粉末衍射分析表明,生成的GaN单晶具有六方纤锌矿结构,与标准卡片符合得很好,而单晶衍射图谱中出现(1011)的衍射峰...
关键词:
温度梯度
,
GaN晶体
,
Na助熔剂法
李红刚
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冯玉军
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徐卓
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王栋
功能材料
反铁电陶瓷材料在电场诱导下发生反铁电-铁电相变.为了研究快速电场诱导相变,诱导电场选择高压脉冲电源产生的脉冲电场.反铁电陶瓷选用Pb(Zr,Sn,Ti)O3相图中位于反铁电-铁电相界附近,正向相变电场小于40kV/cm的锆锡钛酸铅.脉冲电源输出波形为2.7 μs电压脉冲,测量陶瓷样品两端的电压波形与...
关键词:
相变
,
反铁电陶瓷
,
PZST
,
高压脉冲