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张万松 , 徐孝镇 , 孙为 , 周广刚 , 冯金波
人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.033
先把KF和MgF2 以1:1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物.然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了KMgF3:Cr2+、KMgF3:Eu2+、KMgF3:Sm2+ 等无色、透明的优质单晶体.并分析了能够成功地生长优质氟化物晶体的各个关键环节.
关键词: Czochralski方法 , KMgF3晶体 , Ar气体环境
