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C镶嵌SiO2薄膜电致发光谱的数值分析

张国恒 , 马书懿 , 陈彦 , 张汉谋 , 徐小丽 , 魏晋军 , 孙小菁

功能材料

采用磁控溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜,在室温下测量了Au/镶嵌纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光谱,电致发光谱显示,随着正向偏压的增加,来自该结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动,发光强度增大.利用位形坐标模型对C镶嵌SiO2薄膜的电致发光谱进行了分析,结果表明该结构的电致发光谱存在1.8和2.0eV左右的两个发光中心,分别来自SiO2层的非桥氧空位和纳米C团簇.

关键词: 磁控溅射 , 纳米碳粒 , 电致发光 , 位形坐标

镁离子掺杂多孔硅的蓝光发射

孙小菁 , 马书懿 , 张汉谋 , 徐小丽 , 魏晋军

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.045

用电化学方法对多孔硅薄膜进行了镁离子的化学掺杂.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,发现镁掺杂增强了多孔硅的蓝光发射,当镁离子浓度增大到0.002mol/L时,可使蓝光强度达到多孔硅红光强度的一半.红外吸收谱表明,掺镁多孔硅的表面形成较完整的Si-O-Si网络结构,分析结果认为,多孔硅的蓝光光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中,光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅SiOx层中的发光中心上,对实验结果进行了合理的解释.

关键词: 多孔硅 , 镁离子掺杂 , 电化学 , 光致发光 , 红外吸收

衬底温度对磁控溅射法制备ZnO薄膜结构及光学特性的影响

徐小丽 , 马书懿 , 陈彦 , 孙小菁 , 魏晋军 , 张国恒

功能材料

采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪、扫描探针显微镜及紫外分光光度计研究了生长温度对ZnO薄膜的结构及光学吸收和透射特性的影响.结果表明,合适的衬底温度有利于提高ZnO薄膜的结晶质量;薄膜在紫外区显示出较强的光吸收,在可见光区的平均透过率达到90%以上,且随着衬底温度的升高,薄膜的光学带隙减小、吸收边红移.采用量子限域模型对薄膜的光学带隙作了相应的理论计算,计算结果与实验值符合得较好.

关键词: 射频磁控溅射 , ZnO薄膜 , X射线衍射 , 光学特性 , 量子限域

高铈抛光粉表面电性及悬浮液分散稳定性研究

周新木 , 李炳伟 , 李永绣 , 徐小丽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2007.01.003

通过测定高铈抛光粉(以下简称抛光粉)悬浮液的ξ电位、吸光度和粘度,探讨了不同pH值、分散剂种类及浓度对抛光粉水相体系分散稳定性的影响.结果表明,ξ电位与吸光度有良好的对应关系,ξ电位绝对值越高,吸光度越大,则体系分散稳定性越好;pH值、分散剂种类及加入量是影响抛光粉水相体系分散稳定性的主要因素.羧甲基纤维素、聚丙烯酸适合作抛光粉悬浮液的分散剂.一定粒径范围的粉体在分散剂的作用下其悬浮液具有较好的稳定性.

关键词: 抛光粉 , 悬浮液 , 分散剂 , ξ电位

纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜的光学特性研究

薛华 , 徐小丽 , 陈彦 , 张国恒 , 马书懿

功能材料

采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出纳米ZnO镶嵌SiO2非晶薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪和紫外-可见分光光度计研究了纳米Zn0镶嵌SiO2薄膜相比纯ZnO纳米薄膜结构的变化及镶嵌结构对其光学特性的影响.研究发现与纯ZnO纳米薄膜相比,纳米ZnO镶嵌SiO2薄膜结构样品呈非晶结构,在紫外区光吸收系数以及光学带隙明显增大,光吸收以及光学带隙的变化与样品制备的衬底温度有关.研究结果表明,由于SiO2的特殊结构实现了对纳米ZnO的束缚,减少了ZnO纳米粒子的集聚,使得量子限制效应变得显著,导致复合膜光学带隙的明显增大以及吸收边的蓝移.

关键词: 纳米ZnO , SiO2 , 射频磁控溅射 , X射线衍射 , 光学特性

基于不同TFT技术的AMOLED像素电路仿真分析

徐小丽 , 刘如 , 郭小军 , 苏翼凯

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.024

非晶硅、非晶氧化铟镓锌、多晶硅薄膜晶体管是可用于设计AMOLED像素驱动电路的3种典型的薄膜晶体管(TFT)技术.文中基于3种TFT的模型,针对大尺寸、高分辨率的AMOLED,分别在典型的电压式驱动和电流式驱动像素电路进行了建模仿真,并对仿真结果做了分析和比较.该研究方法为像素电路的设计提供了一定理论依据.

关键词: AMOLED , 非晶硅 , 非晶氧化铟镓锌 , 多晶硅 , 薄膜晶体管

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