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偏压加强MPCVD法Ir(100)/MgO(100)基片上金刚石异质外延形核

李义锋 , 佘建民 , 苏静杰 , 唐伟忠 , 李效民 , 徐小科

人工晶体学报

利用自行研制的可调谐圆柱谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置的结构优势,设计了电极可调节的偏压加强MPCVD装置.采用脉冲激光沉积(PLD)法制备了Ir(100)/MgO (100)基片.采用偏压加强MPCVD装置进行了金刚石异质外延形核的探索,在Ir(100)/MgO (100)基片上实现了金刚石异质外延形核.扫描电镜结果显示,[100]取向的金字塔状外延金刚石晶粒的形核密度达108~109 cm-2.

关键词: 金刚石 , 异质外延 , 化学气相沉积 , 微波等离子体 , 偏压加强

铸造铝合金的强化研究

徐小科 , 彭晓东 , 谢卫东 , 张安琴

材料导报

铸造铝合金在诸多方面有着极其广泛的应用.阐述了铸造铝合金强化的途径,包括合金化、变质处理、晶粒细化和熔体处理.研究和试验表明,铸造铝合金可以通过上述方法得到强化.

关键词: 铸造铝合金 , 强化 , 处理

低压化学气相沉积法生长 B 掺杂 ZnO 薄膜及其性能

徐小科 , 赵俊亮 , 李效民 , 吴永庆 , 杨哲 , 何兵

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.009

低压化学气相沉积法生长的 B 掺杂 ZnO 薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极.以 Zn (C2 H 5)2和 H 2 O 为前驱体, B2 H 6为掺杂物,通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了 B 掺杂 ZnO 薄膜.通过 XRD、FESEM、四探针测试仪等手段对样品的结构特征、微观形貌及导电性能进行表征,着重研究了(110)取向的 BZO 薄膜的生长机理.结果表明,厚度在500 nm 以下的 BZO 薄膜主要表现为(002)取向,随着厚度的增加,薄膜取向开始向(110)转变.所得 BZO 镀膜玻璃在400~1000 nm范围内总透过率>80%,雾度最高可达28%(550 nm),方块电阻最低约7Ω/□,电阻率最低约1.0×10-3Ω?cm.

关键词: BZO , 透明导电氧化物 , 生长机理 , 雾度 , 低压化学气相沉积(LPCVD)

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