赵丽伟
,
刘彩池
,
滕晓云
,
朱军山
,
郝秋艳
,
孙世龙
,
王海云
,
徐岳生
,
胡家辉
,
冯玉春
,
郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.019
本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相...
关键词:
GaN
,
湿法腐蚀
,
六角腐蚀坑
,
SEM
徐岳生
,
杨新荣
,
郭华锋
,
唐蕾
,
刘彩池
,
王海云
,
魏欣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.026
通过化学腐蚀(AB腐蚀液)、金相显微镜观察、透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX),对LEC法生产的半绝缘砷化镓( SI-GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析.其结果表明: 碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系.高密度位错区位错形成胞状结构,该结构的胞壁区碳含量高,近胞壁区次之,剥光区碳...
关键词:
SI-GaAs
,
位错
,
碳含量
,
能谱分析
王海云
,
张春玲
,
唐蕾
,
刘彩池
,
申玉田
,
徐岳生
,
覃道志
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.027
砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料,GaAs衬底质量直接影响器件性能.利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA),对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷进行了研究.发现SI-GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、 GaAs多晶颗粒...
关键词:
SI-GaAs
,
微缺陷
,
小位错回线
,
沉淀成核中心
张雯
,
徐岳生
材料导报
设计制作了由永磁材料构成的,能提供均匀磁场的环形磁场.在锗熔体范围内引入此磁场提供的垂直磁场.采用旋转转子法,测定了不同温度不同磁场强度条件下锗熔体的粘度.结果表明,不同的条件下,锗熔体的粘度有不同程度的降低.粘度降低的原因,可以用磁场对运动带电粒子的作用来解释.
关键词:
垂直磁场
,
锗熔体
,
旋转转子法
,
粘度
朱军山
,
胡加辉
,
徐岳生
,
刘彩池
,
冯玉春
,
郭宝平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.02.024
利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840 s.采用高分辨率 DCXRD, 扫描电子显微镜(SEM)分析.结果表明, 以1...
关键词:
Si(111)
,
GaN
,
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)
,
双晶X射线衍射(DCXRD)
徐岳生
,
付生辉
,
刘彩池
,
王海云
,
魏欣
,
郝景臣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.025
用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2量级),发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响: 低AB-E...
关键词:
LEC SI-GaAs
,
AB-EPD
,
跨导
,
衬底
,
位错
,
PLmapping
,
临界值
孙卫忠
,
牛新环
,
王海云
,
刘彩池
,
徐岳生
稀有金属材料与工程
用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76 mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析.结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运动和反应形成胞状结构,该胞状结构的本质就是晶体...
关键词:
SI-GaAs
,
微缺陷
,
位错
,
AB腐蚀
,
杂质碳
朱军山
,
赵丽伟
,
孙世龙
,
滕晓云
,
刘彩池
,
徐岳生
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.01.002
用不同温度的AlN缓冲层在Si(111)衬底上外延GaN薄膜.通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,研究了缓冲层生长温度对外延层表面形貌的影响, 分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响. 结果表明:缓冲层生长温度通过影响缓冲层初始成核...
关键词:
GaN
,
Si(111)
,
缓冲层
,
表面形貌
